[實用新型]雙面受光型晶體硅太陽能電池無效
| 申請號： | 201020146111.0 | 申請日： | 2010-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN201699033U | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 楊樂;王景霄;楊志剛;葉慶好 | 申請（專利權）人： | 楊樂 |
| 主分類號： | H01L31/052 | 分類號： | H01L31/052;H01L31/0288;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 無錫華源專利事務所 32228 | 代理人： | 聶漢欽 |
| 地址： | 214174 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙面 受光型 晶體 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙面受光型晶體硅太陽能電池，其特征在于包括：
太陽能電池本體，具有單晶硅襯底，在所述單晶硅襯底的背面形成擴硼層P+，在所述單晶硅襯底的正面形成擴磷層N+；
背面減反射膜，在所述擴硼層P+上形成并由氮化硅構成；
正面減反射膜，在所述擴磷層N+上形成并由氮化硅構成；
背面柵線，以預定的圖案在所述背面減反射膜上形成并通過所述背面減反射膜連接到所述擴硼層P+；
正面柵線，以預定的圖案在所述正面減反射膜上形成并通過所述正面減反射膜連接到所述擴磷層N+。
2.根據權利要求1所述雙面受光型晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述單晶硅襯底為P型太陽能級單晶硅，形成的太陽能電池本體為P+PN+結構。
3.根據權利要求1所述雙面受光型晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述單晶硅襯底為N型太陽能級單晶硅，形成的太陽能電池本體為P+NN+結構。
4.根據權利要求1所述雙面受光型晶體硅太陽能電池，其特征在于：所述背面減反射膜、正面減反射膜是使用PECVD形成的。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
