[實(shí)用新型]高壓反接二極管芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020141145.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-03-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201663163U | 公開（公告）日： | 2010-12-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 項(xiàng)衛(wèi)光;李有康;徐偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 浙江正邦電力電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/861 | 分類號(hào)： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永康市聯(lián)縉專利事務(wù)所(普通合伙) 33208 | 代理人： | 柯利進(jìn) |
| 地址： | 321400 浙江省縉云*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高壓 反接 二極管 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種高壓反接二極管芯片，包括上襯底、下襯底和經(jīng)過擴(kuò)散的硅片，該上、下兩襯底分別與所述硅片P區(qū)頂面和N區(qū)底面相接，其特征是：所述硅片P區(qū)臺(tái)面負(fù)斜角α為5-7度，硅片N區(qū)臺(tái)面負(fù)斜角β為25-35度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
