[實用新型]一種等離子體處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020138135.1 | 申請日： | 2010-03-12 |
| 公開（公告）號： | CN201751976U | 公開（公告）日： | 2011-02-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 許頌臨;凱文·皮爾斯;杜志游;倪圖強;雷本亮;陳金元;尹志堯 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32;H01J37/04;H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明;王寶筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置，包括上電極和與所述上電極相對的用于放置基片的基臺，其特征在于，所述上電極接地，所述基臺分別連接高射頻電源和低射頻電源，所述上電極至少包括兩個區(qū)域，各區(qū)域的電阻不同。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上電極包括與上電極同圓心的圓形中心區(qū)域和圍繞在所述中心區(qū)域周圍的圓環(huán)形邊緣區(qū)域。
3.根據(jù)權利要1所述的裝置，其特征在于，所述上電極包括與上電極同圓心的圓形中心區(qū)域，圍繞在所述中心區(qū)域周圍的圓環(huán)形過渡區(qū)域和圍繞在所述過渡區(qū)域周圍的圓環(huán)形邊緣區(qū)域。
4.根據(jù)權利要求1至3中任意一項所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域的電阻率不同。
5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域的電阻率沿徑向逐漸變大。
6.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域的電阻率沿徑向逐漸變小。
7.根據(jù)權利要求1至3中任意一項所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域的厚度不同。
8.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域在軸向上的厚度沿所述上電極的徑向逐漸變大。
9.根據(jù)權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述上電極各區(qū)域在軸向上的厚度沿所述上電極的徑向逐漸變小。
10.根據(jù)權利要求1至3中任意一項所述的裝置，其特征在于，沿所述上電極的外周設置有邊緣環(huán)。
11.根據(jù)權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述邊緣環(huán)至少包括兩個區(qū)域，各區(qū)域的電阻率不同，和/或各區(qū)域的厚度不同。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備(上海)有限公司，未經(jīng)中微半導體設備(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020138135.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種透析器的制備工藝
- 下一篇：淚囊手術引流裝置
