[實用新型]無隔離型零電壓軟開關直流-直流變換器的電路拓撲結構

無效

• 申請號: 201020135432.0
• 申請日: 2010-03-19
• 公開（公告）號: CN201766502U
• 公開（公告）日: 2011-03-16
• 發明（設計）人: 岑衛東
• 申請（專利權）人: 岑衛東
• 主分類號: H02M3/155
• 分類號: H02M3/155
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種無隔離型零電壓軟開關直流-直流變換器的電路拓撲結構，包括：一個緩沖電容c1，一個通過輔助開關管控制的輔助電路，及BOOST，BUCK，BOOST-BUCK，SEPIC，ZETA，CUK這六種基本的無隔離型的硬開關直流-直流變換器電路中任意一種的典型的拓撲結構，其特征在于：所述緩沖電容c1的兩端與所述這六種基本的無隔離型的硬開關直流-直流變換器電路中任意一種的典型的拓撲結構中的MOSFET主開關管m1的漏極和源極并聯。

2.根據權利要求1所述的無隔離型零電壓軟開關直流-直流變換器的電路拓撲結構，其特征在于：所述通過輔助開關管控制的輔助電路，包括一個MOSFET輔助開關管m2和兩個電容c2，c3，所述電容c2的兩端，與MOSFET輔助開關管m2的漏極和源極并聯，所述電容c3的一端與MOSFET輔助開關管m2的漏極連接，電容c3的另一端及MOSFET輔助開關管m2的源極，并聯在所述這六種基本的無隔離型的硬開關直流-直流變換器電路中任意一種的典型的拓撲結構中的整流或續流二極管D1的兩端，并聯方向為MOSFET輔助開關管m2的體二極管與整流或續流二極管D1方向相同。

3.根據權利要求1或2所述的無隔離型零電壓軟開關直流-直流變換器的電路拓撲結構，其特征在于：所述這六種基本的無隔離型的硬開關直流-直流變換器電路中任意一種的典型的拓撲結構中的MOSFET主開關管m1和所述通過輔助開關管控制的輔助電路中的MOSFET輔助開關管m2，在高電壓，大電流的應用場合，可用IGBT管并聯二極管來代替。