[實用新型]溝槽型肖特基勢壘整流器

無效

• 申請號: 201020131171.5
• 申請日: 2010-03-04
• 公開（公告）號: CN201629336U
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 朱袁正;葉鵬;丁磊;冷德武
• 申請（專利權）人: 無錫新潔能功率半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種溝槽型肖特基勢壘整流器，在所述肖特基勢壘整流器的截面上，包括具有兩個相對主面的半導體基板、位于半導體基板下部的第一導電類型襯底及位于半導體基板上部的第一導電類型漂移區，所述第一導電類型襯底鄰接第一導電類型漂移區；所述第一導電類型襯底的表面為半導體基板的第二主面，所述第一導電類型漂移區的表面為半導體基板的第一主面；所述第一導電類型漂移區的摻雜濃度低于第一導電類型襯底的摻雜濃度；其特征是：

一個或多個溝槽從所述第一主面延伸進入至第一導電類型漂移區，并在第一導電類型漂移區上部限定出一個或多個臺面部；所述溝槽內壁上覆蓋有絕緣氧化層，在所述覆蓋有絕緣氧化層的溝槽內淀積第一電極；所述第一導電類型漂移區對應于溝槽的槽底設置第二導電類型包圍層，所述第二導電類型包圍層包覆所述溝槽的槽底；所述半導體基板對應于第一主面上方淀積有第一金屬層，所述第一金屬層與第一電極相歐姆接觸；所述第一金屬層與臺面部的表面相接觸，形成肖特基結；所述半導體基板的第二主面上覆蓋有第二金屬層，所述第二金屬層與第一導電類型襯底相歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的溝槽型肖特基勢壘整流器，其特征是：所述第一電極包括導電多晶硅。

3.根據權利要求1所述的溝槽型肖特基勢壘整流器，其特征是：所述溝槽內壁通過熱生長或淀積形成絕緣氧化層。

4.根據權利要求1所述的溝槽型肖特基勢壘整流器，其特征是：所述第一金屬層上設有陽極端。

5.根據權利要求1所述的溝槽型肖特基勢壘整流器，其特征是：所述第二金屬層上設有陰極端。