[實用新型]可控硅器件的平面終端鈍化結構有效
| 申請號： | 201020123884.7 | 申請日： | 2010-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN201699004U | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 王新潮;馮東明;高善明;李建立 | 申請（專利權）人： | 江陰新順微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;H01L21/316 |
| 代理公司： | 江陰市同盛專利事務所 32210 | 代理人： | 唐紉蘭 |
| 地址： | 214431 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可控硅 器件 平面 終端 鈍化 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種可控硅器件的平面終端鈍化結構，其特征在于所述結構包括芯片硅襯底層(1)，在所述芯片硅襯底層(1)表面復合有鈍化層(2)，在所述鈍化層(2)表面依次復合有第一保護層(3)、第二保護層(4)和第三保護層(5)，且在所述芯片硅襯底層(1)表面留出陰極和門極引線孔窗口；所述鈍化層(2)材料采用半絕緣摻氧多晶硅SIPOS。?
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于江陰新順微電子有限公司，未經江陰新順微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020123884.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
