[實(shí)用新型]抗高壓浪涌的開關(guān)電源

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020119606.4
• 申請(qǐng)日: 2010-02-11
• 公開（公告）號(hào): CN201623644U
• 公開（公告）日: 2010-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李常波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳長(zhǎng)城開發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/04
• 分類號(hào): H02M7/04;H02M1/32;H02H9/04
• 代理公司: 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232
• 代理人: 周惠來(lái)

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種通信設(shè)備，尤其涉及電力系統(tǒng)的通信設(shè)備。

背景技術(shù)

對(duì)于一般的電子設(shè)備，抗高壓浪涌是一項(xiàng)必須達(dá)到的指標(biāo)要求，如雷擊和電網(wǎng)的大功率設(shè)備的啟、停等對(duì)電網(wǎng)會(huì)有很強(qiáng)的沖擊，不同級(jí)別的電子產(chǎn)品的浪涌電壓要求為±1k到±6kV，甚至更高。

對(duì)于一般的開關(guān)電源電路，為了減少開關(guān)電源電路的傳導(dǎo)和輻射等干擾，一般會(huì)在開關(guān)電源電路的高壓端和低壓端跨接能夠耐高壓的Y電容，Y電容用于共模濾波的安規(guī)電容，它接于L與地或N與地之間，濾除L對(duì)地或N對(duì)地的共模信號(hào)。通過Y電容為高壓端的噪聲提供泄放通道，可使設(shè)備符合有關(guān)對(duì)傳導(dǎo)和輻射等干擾的標(biāo)準(zhǔn)要求。

一般的Y電容有兩種接法：如圖1所示，Y電容C1接在高壓輸入端的高壓整流地-Hv端與低壓輸出地GND1端之間；或者，如圖2所示，Y電容C1接在高壓輸入端的高壓整流后的正電源+Hv端與低壓輸出地GND1端之間。在開關(guān)電源電路的高壓端+Hv或-Hv和低壓端GND1串聯(lián)Y電容C1后，Y電容C1會(huì)對(duì)高頻信號(hào)提供一個(gè)低阻抗通路，此低阻抗通路也會(huì)為電子設(shè)備的高壓浪涌測(cè)試提供一個(gè)低阻抗通路，從而在對(duì)電子設(shè)備的高壓端與低壓端做共模浪涌測(cè)試時(shí)，高壓端+Hv或-Hv會(huì)通過Y電容C1對(duì)低壓端GND1放電。此放電回路會(huì)引起高壓端電路間，也就是+Hv與-Hv之間產(chǎn)生很高的電壓差，當(dāng)此電壓差過高時(shí)就可能會(huì)損壞高壓端電路，尤其是高阻抗電路，如：MOSFET管Q1等，從而致使開關(guān)電源電路失效。

當(dāng)高壓輸入端+Hv對(duì)低壓輸出端GND1加正的共模浪涌脈沖時(shí)，浪涌電流會(huì)通過如圖1所示虛線箭頭方向流動(dòng)，在開關(guān)MOSFET管Q1的D-S(漏極-源極)加高壓脈沖，當(dāng)此時(shí)的開關(guān)MOSFET管在關(guān)閉期間，其D-S就會(huì)加上高壓脈沖，由于此高壓脈沖的峰值可達(dá)上千伏到數(shù)千伏，MOSFET管的D-S容易被高壓擊穿；當(dāng)高壓輸入端+Hv對(duì)低壓輸出端GND1加負(fù)的共模浪涌脈沖時(shí)，浪涌電流會(huì)通過如圖1所示虛線箭頭的反方向流動(dòng)，類似地，MOSFET管的D-S也可能被高壓擊穿；同樣的，參見圖2所示虛線箭頭方向流動(dòng)，圖2中的MOSFET管的D-S也會(huì)加上高壓脈沖，MOSFET管的D-S也可能被高壓擊穿。

為了提升電子設(shè)備的抗高壓浪涌性能，現(xiàn)有的一種通常的做法是在交流輸入級(jí)添加若干級(jí)的濾波器，這會(huì)導(dǎo)致電子設(shè)備的成本的增加。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提出一種以較低的成本、有效地提升電子設(shè)備的抗高壓浪涌性能的開關(guān)電源。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是，提出一種抗高壓浪涌的開關(guān)電源，包括一變壓器，位于該變壓器的原邊的輸入電路以及位于該變壓器的副邊的輸出電路，該輸入電路包括一整流電路，該整流電路具有兩個(gè)輸出端，該輸出電路具有至少一個(gè)地端，該整流電路的兩個(gè)輸出端分別通過一第一Y電容和一第二Y電容與該輸出電路的至少一個(gè)地端相連。

其中，該第一Y電容和第二Y電容的一端是分別與該整流電路的兩個(gè)輸出端相連、另一端則是短接在一起后經(jīng)由第三Y電容與該輸出電路的至少一個(gè)地端相連的。

該第三Y電容的數(shù)目與該輸出電路的地端的數(shù)目相等，每一個(gè)第三Y電容是對(duì)應(yīng)串接在該第一Y電容和第二Y電容的另一端與該輸出電路的一個(gè)地端之間。

該第一Y電容和第二Y電容的的另一端與這些第三Y電容之間串連有一第四Y電容。

該第一Y電容和第二Y電容的參數(shù)相同。

該第三Y電容的容值是該第一Y電容的容值的一半。

該輸入電路包括與該變壓器的原邊串聯(lián)的一開關(guān)管，該整流電路的兩個(gè)輸出端與該變壓器的原邊和該開關(guān)管的串聯(lián)電路的兩端分別相連。

該開關(guān)管為MOSFET管。

該第一Y電容和第二Y電容的另一端是接大地的。

該第一Y電容和第二Y電容的另一端是經(jīng)由一第五Y電容接大地的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的抗高壓浪涌的開關(guān)電源，通過在一標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)電源輸入電路進(jìn)行整流后輸出的整流高壓端和整流地端各自連接到一個(gè)Y電容的一端，而這兩個(gè)Y電容的另一端連接在一起再與低壓輸出的地端連接，從而兩個(gè)Y電容會(huì)同時(shí)將浪涌電流送到低壓輸出端，可有效地提升電子設(shè)備的抗高壓浪涌性能，并避免由于在高壓端的整流高壓端和整流地端之間因?yàn)榉烹姴黄胶猓鹚查g高壓損壞高壓MOSFET管的情況的發(fā)生；另外，也可以大大降低開關(guān)電源輸入端用以實(shí)現(xiàn)抗浪涌性能的器件的成本。

附圖說(shuō)明

圖1是現(xiàn)有的開關(guān)電源的一種電原理圖。

圖2是現(xiàn)有的開關(guān)電源的另一種電原理圖。