[實用新型]一種高壓端口結構及半導體器件有效
| 申請號： | 201020119385.0 | 申請日： | 2010-02-11 |
| 公開（公告）號： | CN201708154U | 公開（公告）日： | 2011-01-12 |
| 發明（設計）人： | 胡鐳;裴國旭;李曉輝;李律;王芳芳;邱嘉敏;徐建強 | 申請（專利權）人： | 深圳市國微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/088 | 分類號： | H01L27/088;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 賈振勇 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 高壓 端口 結構 半導體器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種高壓端口結構，其特征在于，在一襯底上形成有P阱和N阱，所述P阱內部的外圍有一P+注入區，所述P+注入區內有兩個串聯的NMOS管，至少其中一個NMOS管為環形柵結構。
2.如權利要求1所述的高壓端口結構，其特征在于，所述P+注入區為環形結構，所述N阱內有一N+注入區，所述N阱和所述N+注入區在所述P阱外部形成一環形結構。
3.如權利要求2所述的高壓端口結構，其特征在于，所述P+注入區與由所述N阱和所述N+注入區形成的環形結構之間用STI淺溝槽隔離。
4.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件的高壓端口具有如權利要求1至3任一項所述的高壓端口結構。
5.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括多個并聯的高壓端口結構，所述高壓端口結構為如權利要求1至3任一項所述的高壓端口結構。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
