[實用新型]一種等離子體內壁材料損傷狀態的實時監測裝置無效
| 申請號： | 201020113632.6 | 申請日： | 2010-02-08 |
| 公開（公告）號： | CN201655344U | 公開（公告）日： | 2010-11-24 |
| 發明（設計）人： | 王波;段亞飛;張穎;呂廣宏 | 申請（專利權）人： | 北京航空航天大學 |
| 主分類號： | G21C17/00 | 分類號： | G21C17/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人： | 成金玉 |
| 地址： | 100190*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 內壁 材料 損傷 狀態 實時 監測 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種等離子體內壁材料損傷狀態的實時監測裝置，其特征在于包括：諧振復合元件、水冷屏蔽殼、導線及諧振頻率測量儀；所述諧振復合元件是能夠隨著內壁材料性能狀態的變化而產生諧振頻率變化的元件，它包括片狀壓電晶體片、內壁材料薄層、電極和防護層，在片狀壓電晶體片的一個表面上復合上一層與之緊密接觸的內壁材料薄層，片狀壓電晶體片的另一個表面上復合兩個電極，從而組成一個諧振復合元件；諧振復合元件的側面和背面是零電位的水冷屏蔽殼；諧振復合元件經由兩個電極分別與兩路導線的一端連接，兩路導線的另一端連接到諧振頻率測量儀。
2.根據權利要求1所述的等離子體內壁材料損傷狀態的實時監測裝置，其特征在于：在所述片狀壓電晶體和內壁材料薄層之間還復合一層片狀壓電晶體和內壁材料薄層緊密接觸的防護層。
3.根據權利要求1或2所述的等離子體內壁材料損傷狀態的實時監測裝置，其特征在于：所述內壁材料薄層的厚度為50納米至100微米。
4.根據權利要求1或2所述的等離子體內壁材料損傷狀態的實時監測裝置，其特征在于：所述片狀壓電晶體片的厚度為0.05毫米至2毫米的范圍；所述防護層的厚度為10納米至100微米的范圍。?
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