[實用新型]一種離子源引出裝置

無效

• 申請號: 201020111922.7
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN201655740U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 何堅
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/06
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 劉勇

1.一種離子源引出裝置，其特征在于設有可拆式樣品靶、射頻多級桿、射頻多級桿固定座和截取錐；可拆卸式樣品靶、射頻多級桿和截取錐同軸心線；可拆卸式樣品靶正向面對射頻多級桿；射頻多級桿安裝于射頻多級桿固定座中，射頻多級桿固定座與截取錐連接；截取錐安裝在外部離子源腔內，截取錐設有離子出射狹縫和至少1個徑向背景氣進氣孔；離子出射狹縫位于截取錐中心。

2.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述可拆卸式樣品靶由進樣桿、樣品固定座和樣品靶壓套構成，進樣桿的前端嵌入樣品固定座的后端，樣品靶壓套嵌入樣品固定座的前端，進樣桿、樣品固定座和樣品靶壓套之間可相互拆卸。

3.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級桿的桿數為2的整數倍。

4.如權利要求3所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述整數倍為至少2倍。

5.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級桿的直徑為2～6mm，桿的長度為60～100mm。

6.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級桿為四級桿時，單根桿的半徑與射頻多級桿構成的內切圓半徑的比例是0.872；所述射頻多級桿為六級桿時，單根桿的半徑與射頻多級桿構成的內切圓半徑的比例是0.5375；所述射頻多級桿為八級桿時，單根桿的半徑與射頻多級桿構成的內切圓半徑的比例是0.355。

7.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級桿的供電電源頻率為100kHz～5MHz，電壓為0～1000V。

8.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級桿的軸心線是外部激發粒子束聚焦點所在的軸線。

9.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述離子出射狹縫是一個圓形孔，圓形孔的直徑為0.1～1mm。

10.如權利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述徑向背景氣進氣孔設有2個，2個徑向背景氣進氣孔對稱布置。