[實(shí)用新型]一種離子源引出裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020111922.7
• 申請(qǐng)日: 2010-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN201655740U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何堅(jiān)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門大學(xué)
• 主分類號(hào): H01J49/26
• 分類號(hào): H01J49/26;H01J49/06
• 代理公司: 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 35200
• 代理人: 劉勇

1.一種離子源引出裝置，其特征在于設(shè)有可拆式樣品靶、射頻多級(jí)桿、射頻多級(jí)桿固定座和截取錐；可拆卸式樣品靶、射頻多級(jí)桿和截取錐同軸心線；可拆卸式樣品靶正向面對(duì)射頻多級(jí)桿；射頻多級(jí)桿安裝于射頻多級(jí)桿固定座中，射頻多級(jí)桿固定座與截取錐連接；截取錐安裝在外部離子源腔內(nèi)，截取錐設(shè)有離子出射狹縫和至少1個(gè)徑向背景氣進(jìn)氣孔；離子出射狹縫位于截取錐中心。

2.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述可拆卸式樣品靶由進(jìn)樣桿、樣品固定座和樣品靶壓套構(gòu)成，進(jìn)樣桿的前端嵌入樣品固定座的后端，樣品靶壓套嵌入樣品固定座的前端，進(jìn)樣桿、樣品固定座和樣品靶壓套之間可相互拆卸。

3.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級(jí)桿的桿數(shù)為2的整數(shù)倍。

4.如權(quán)利要求3所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述整數(shù)倍為至少2倍。

5.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級(jí)桿的直徑為2～6mm，桿的長度為60～100mm。

6.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級(jí)桿為四級(jí)桿時(shí)，單根桿的半徑與射頻多級(jí)桿構(gòu)成的內(nèi)切圓半徑的比例是0.872；所述射頻多級(jí)桿為六級(jí)桿時(shí)，單根桿的半徑與射頻多級(jí)桿構(gòu)成的內(nèi)切圓半徑的比例是0.5375；所述射頻多級(jí)桿為八級(jí)桿時(shí)，單根桿的半徑與射頻多級(jí)桿構(gòu)成的內(nèi)切圓半徑的比例是0.355。

7.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級(jí)桿的供電電源頻率為100kHz～5MHz，電壓為0～1000V。

8.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述射頻多級(jí)桿的軸心線是外部激發(fā)粒子束聚焦點(diǎn)所在的軸線。

9.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述離子出射狹縫是一個(gè)圓形孔，圓形孔的直徑為0.1～1mm。

10.如權(quán)利要求1所述的一種離子源引出裝置，其特征在于所述徑向背景氣進(jìn)氣孔設(shè)有2個(gè)，2個(gè)徑向背景氣進(jìn)氣孔對(duì)稱布置。