[實用新型]超純水處理系統

無效

• 申請號: 201020059255.2
• 申請日: 2009-12-31
• 公開（公告）號: CN201722238U
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 鄭彬棋
• 申請（專利權）人: 廈門又升電子科技有限公司
• 主分類號: C02F9/04
• 分類號: C02F9/04;C02F1/44;C02F1/42;C02F103/04
• 代理公司: 廈門龍格專利事務所(普通合伙) 35207
• 代理人: 鐘毅虹

技術領域

本實用新型涉及一種純水處理裝置。

背景技術

隨著半導體科學的迅速發展，晶片產品在大量的電子器件中應用，而由于大量的晶片研發及設計上存在晶片表面靜電的產生，因此在實際的晶片切割清洗過程中存在潛在的靜電破壞晶片的功能，為了降低晶片表面的靜電保證功能，采用了陰陽樹脂離子交換產出電阻值達到15.8MΩ以上的超純水投入使用，可有效的消除晶片表面的靜電。

目前，純水處理主要工作自來水經砂缸第一階段過濾，將源水中的鐵等污垢去除，再經碳缸第二階段過濾，將清水中的錳等微粒雜質去除生成清水，再經滲透是水從稀溶液一側通過半透膜向濃溶液一側自發流動的過程。半透膜只允許水通過，而阻止溶解固形物(鹽)的通過，濃溶液隨著水的流人而不斷被稀釋。當水向濃溶液流動而產生的壓力″足夠用于阻止水繼續凈流入時，滲透處于平衡狀態，平衡時，水從任一邊通過半透膜向另一邊流入的數量相等，即處于動態平衡狀態，而此時壓力p稱為溶液的滲透壓(注意：半透膜一邊是純水，另一邊是鹽溶液)。此純水的電阻值1.5MΩ以下，則無法滿足目前高科技晶片產品的要求。

實用新型內容

針對現有技術中存在的不足之處，本實用新型提供一種超純水處理系統。其可生產電阻值達到15.8MΩ以上的超純水，該超純水可有效的消除晶片表面的靜電，解決了晶片切割清洗過程中存在潛在的靜電破壞晶片的功能，提高了生產效率和晶片產品的功能質量保證。

為實現上述目的，本實用新型技術方案為：

超純水處理系統，特征在于：其主要包括一連接自來水箱的過濾缸，該過濾缸依序連接有一阻垢劑投加設備、一精密過濾器、一反滲透水生成設備、一混床及一最后連接超純水箱的精密過濾器；所述的混床是一混合有陽樹脂和陰樹脂的容器。

上述技術方案的有益之處在于：

本實用新型摒棄現有技術中無法生產電阻值達到15.8MΩ以上的超純水的裝置。其于滲透水生成設備后增設了混床，經該混床陰陽樹脂離子交換產出的(電阻值達到15.8MΩ以上)的超純水，通過混床產水口電阻值儀表監測到電阻值，混床內樹脂使用周期約為300H，當電阻值下降時需暫停生產立即對混床進行再生工作，陽樹脂從“液酸入口”吸取5.5-6％的酸液，陰樹脂從“液堿入口”吸取3.5-4％的堿液混合飽合樹脂，從而完成樹脂離子交換工作。

附圖說明

圖1是本實用新型工作流程示意圖。

具體實施方式

現結合附圖和實施例說明本實用新型。

如圖1所示的超純水處理系統，特征在于：其主要包括一連接自來水箱的過濾缸，該過濾缸由一石英砂過濾器連接一活性炭過濾器組成。該過濾缸依序連接有一阻垢劑投加設備、一精密過濾器、一反滲透水生成設備、一中間水箱、一混床及一最后連接超純水箱的精密過濾器。所述的混床是一混合有陽樹脂和陰樹脂的容器。

首先自來水經石英砂過濾器第一階段過濾，將原水中的鐵等污垢去除，再經活性炭過濾器第二階段過濾，將清水中的錳等微粒雜質去除后生成的清水經過精密過濾器，再經反滲透水生成設備將水從稀溶液一側通過半透膜向濃溶液一側自發流動。反滲透水生成設備的半透膜只允許水通過，而阻止溶解固形物(鹽)(包含金屬物、懸浮固體、病毒體、細菌體、有機化合物)的通過，產出的純水存至中間水箱，使用中間水泵將純水抽進陰、陽樹脂混床進行離子交換。從混床出水端產出超純水經精密過濾器供應生產使用。