[實(shí)用新型]ESD保護(hù)電路

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020037540.4
• 申請(qǐng)日: 2010-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN201616667U
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何弢;陳瑜;王佐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 成都智金石科技有限公司
• 主分類號(hào): H02H9/00
• 分類號(hào): H02H9/00;H01L23/60
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種ESD保護(hù)電路，其用于保護(hù)功能模塊，所述ESD保護(hù)電路具有ESD保護(hù)模塊、CMOS驅(qū)動(dòng)模塊和源地保護(hù)模塊，其特征在于，所述ESD保護(hù)模塊連接在輸入焊盤(IN)和地(GND)之間，所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊連接在電源(VDD)和地(GND)之間并且所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊的輸出端(2)與輸出焊盤(OUT)連接，所述源地保護(hù)模塊連接在所述電源(VDD)和所述地(GND)之間，其中，所述源地保護(hù)模塊包括至少兩個(gè)二極管(D1、D2)和至少一個(gè)第NMOS(N2)，其中，所述至少兩個(gè)二極管之一(D1)的正極與所述電源(VDD)連接并且其負(fù)極與另一個(gè)二極管(D2)的正極連接，所述另一個(gè)二極管(D2)的負(fù)極與所述地(GND)相連接，所述至少兩個(gè)二極管(D1、D2)的彼此間的連接點(diǎn)與所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊的所述輸出端(2)連接，所述至少一個(gè)第NMOS(N2)的漏端與所述電源(VDD)連接并且其源極、柵極和襯底均與所述地(GND)相連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述ESD保護(hù)模塊包括至少一個(gè)第一NMOS?(N1)，所述至少一個(gè)第一NMOS?(N1)的源極、柵極和襯底均與所述地(GND)相連接，所述至少一個(gè)第一NMOS(N1)的漏端(1)直接與所述輸入焊盤(IN)連接或經(jīng)由電阻(R1)與所述輸入焊盤(IN)連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊包括彼此串聯(lián)的P型MOS部分(CP)和N型MOS部分(CN)，并且所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊被設(shè)計(jì)為具有大于0.8W的輸出功率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，在所述至少兩個(gè)二極管(D1、D2)中，與所述電源(VDD)連接的是n阱二極管，而與所述地(GND)連接的是襯底二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述CMOS驅(qū)動(dòng)模塊采用了彎曲柵結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述彎曲柵結(jié)構(gòu)按照接觸孔規(guī)則排列的方式設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述第一NMOS和第二NMOS各自的寬度均為400μm，它們均有8條指柵，各個(gè)指柵的寬度均為50μm，并且它們的溝道長度均為1μm，漏孔邊緣到柵的距離均為4μm，并且按照最小規(guī)格來設(shè)計(jì)源孔邊緣到柵的距離，并使襯底能夠充分接觸所述地(GND)。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述電阻(R1)為高摻雜注入電阻，其阻值為200歐姆。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)電路，其特征在于，所述ESD保護(hù)電路包括多個(gè)第二NMOS(N2)，以平均分配到所述功能模塊周圍的方式設(shè)置這些第二NMOS(N2)。