[實用新型]一種LED芯片無效
| 申請號： | 201020027107.2 | 申請日： | 2010-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN201584432U | 公開（公告）日： | 2010-09-15 |
| 發明（設計）人： | 周浩明 | 申請（專利權）人： | 中山市盈點光電科技有限公司;中山市多點光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528415 廣東省中*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種LED芯片，包括金屬基板；依次層疊設置在金屬基板上的陽極金屬電極層、電流擴散層、p型半導體材料層、發光層、n型半導體材料層、以及陰極金屬電極層；
其特征在于：在電流擴散層與p型半導體材料層之間，陽極金屬電極層上方對應的位置上，形成有電流阻擋層。
2.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于：所述陽極金屬電極層與電流擴散層之間為歐姆接觸。
3.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于：所述電流阻擋層與p型半導體材料層是非歐姆接觸或絕緣接觸。
4.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于：所述電流阻擋層為不吸光金屬。
5.根據權利要求1至5任一項所述的一種LED芯片，其特征在于：所述陽極金屬電極層為沿p型半導體材料層周邊形成的環狀電極。
6.根據權利要求6所述的一種LED芯片，其特征在于：所述電流阻擋層為對應設置在環狀電極上方位置的環狀電流阻擋層。
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