[實(shí)用新型]結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板及太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020003515.4 | 申請日: | 2010-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN201623161U | 公開(公告)日: | 2010-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李森田;曾衍彰;許晉維;鄭忠杰;陳昆峣 | 申請(專利權(quán))人: | 華旭環(huán)能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/052 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 鄭小軍;馮志云 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 結(jié)構(gòu) 強(qiáng)化 底板 太陽能電池 | ||
1.一種結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,適用于一太陽能電池,其特征在于,該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板包括多個(gè)用于增強(qiáng)該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板機(jī)械強(qiáng)度的凹槽結(jié)構(gòu),每一該凹槽結(jié)構(gòu)自該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板的一第一側(cè)延伸至一第二側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)為由該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板沖凹所形成的凹槽結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分別具有用以增加機(jī)械強(qiáng)度的一斜面結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)具有一底面,且該底面為弧面結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,其特征在于,該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板還具有用于供一鎖固組件穿設(shè)以將一太陽能芯片組鎖固于該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板上的多個(gè)通孔。
6.一種太陽能電池,其特征在于,該太陽能電池包含:
一太陽能芯片組,包含:
一太陽能芯片;
一二次聚光鏡,設(shè)置于該太陽能芯片上;
一聚光鏡,架設(shè)于該二次聚光鏡上,用以將太陽光聚集于該太陽能芯片上;以及
一結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板,包括多個(gè)凹槽結(jié)構(gòu),每一該凹槽結(jié)構(gòu)自該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板的一第一側(cè)延伸至一第二側(cè);
其中,該太陽能芯片組固定于該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板上,且通過該凹槽結(jié)構(gòu)增加該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板的機(jī)械強(qiáng)度。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,該太陽能芯片組還包括一用以設(shè)置該太陽能芯片的導(dǎo)電板。
8.如權(quán)利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,該太陽能芯片組還包括一絕緣層,設(shè)置于該導(dǎo)電板及該太陽能芯片之間。
9.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)為由該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板沖凹所形成的凹槽結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)的兩側(cè)分別具有用以增加機(jī)械強(qiáng)度的一斜面結(jié)構(gòu)。
11.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,該凹槽結(jié)構(gòu)具有一底面,且該底面為弧面結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其特征在于,該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板還具有用于供一鎖固組件穿設(shè)以將該太陽能芯片組鎖固于該結(jié)構(gòu)強(qiáng)化底板上的多個(gè)通孔。
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