[實用新型]通孔半導體外延薄膜貼片式封裝

無效

• 申請號: 201020002628.2
• 申請日: 2010-01-07
• 公開（公告）號: CN201741715U
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 彭暉
• 申請（專利權）人: 金芃;彭暉
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝包括：

-封裝管殼；其中，所述的封裝管殼包括：絕緣支架；所述的絕緣支架內部形成多個通孔，所述的通孔中填充導電物質；所述的絕緣支架的頂部上形成至少一個頂部第一電極和至少一個頂部第二電極；所述的絕緣支架的底部上形成分別與所述的頂部第一電極和所述的頂部第二電極相對應的底部第一電極和底部第二電極；所述的頂部第一電極、至少一個通孔和所述的底部第一電極形成電連接，形成第一電極；所述的頂部第二電極、至少一個通孔和所述的底部第二電極形成電連接，形成第二電極；所述的第一電極和所述的第二電極互相電絕緣；所述的底部第一電極和所述的底部第二電極分別與外界電源電連接；

-至少一個半導體外延薄膜；所述的半導體外延薄膜包括：第一類型限制層，活化層和第二類型限制層；所述的活化層層疊在所述的第一類型限制層和所述的第二類型限制層之間；所述的半導體外延薄膜鍵合在所述的頂部第一電極上；

-鈍化層；所述的鈍化層層疊在所述的封裝管殼和所述的半導體外延薄膜上；所述的鈍化層在所述的半導體外延薄膜的上方和所述的頂部第二電極的上方的預定的位置上具有窗口；

-透明電極；其中，所述的透明電極通過所述的鈍化層在所述的半導體外延薄膜上方的窗口，層疊在所述的半導體外延薄膜上；通過所述的鈍化層在所述的頂部第二電極上方的窗口，層疊在所述的頂部第二電極上，使得所述的半導體外延薄膜的表面通過所述的透明電極與所述的頂部第二電極電聯接。?

2.如權利要求1所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的半導體外延薄膜的表面被粗化或形成光子晶體結構。

3.如權利要求1所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的透明電極具有單層或多層結構。

4.如權利要求3所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的透明電極的每一層的材料是從一組材料中選出，該組材料包括，導電氧化物材料和金屬材料。

5.如權利要求1所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的透明電極的表面被粗化。

6.如權利要求1所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的透明電極的表面形成絕緣的保護層。

7.如權利要求5所述的通孔半導體外延薄膜貼片式封裝，其特征在于，所述的絕緣的保護層的表面被粗化。?