[實(shí)用新型]一種MEMS麥克風(fēng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020001125.3 | 申請(qǐng)日: | 2010-01-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201594811U | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋青林;龐勝利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歌爾聲學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03H9/46 | 分類號(hào): | H03H9/46 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 陳英俊 |
| 地址: | 261031 山東省濰*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 mems 麥克風(fēng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種麥克風(fēng),尤其涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
背景技術(shù)
近年來(lái),利用MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))工藝集成的MEMS麥克風(fēng)開(kāi)始被批量應(yīng)用到手機(jī)、筆記本等電子產(chǎn)品中,這種麥克風(fēng)的耐高溫效果好,可以經(jīng)受住SMT工藝的高溫考驗(yàn)。這種產(chǎn)品的一般結(jié)構(gòu)就是利用一個(gè)線路板和一個(gè)外殼構(gòu)成一個(gè)腔體而成為MEMS麥克風(fēng)的封裝,在線路板的外表面上可以設(shè)置焊盤,用于固定MEMS麥克風(fēng)并且電連接到外部電路,在腔體的內(nèi)部安裝有MEMS聲學(xué)芯片和ASIC(特殊應(yīng)用集成電路)芯片,ASIC芯片至少包括偏執(zhí)電壓端、輸入端、輸出端、電源端和接地端,MEMS聲學(xué)芯片的一個(gè)電極電連接ASIC芯片的輸入端,另一個(gè)電極電連接ASIC芯片的偏執(zhí)電壓端,在MEMS麥克風(fēng)的封裝上設(shè)置有貫穿腔體內(nèi)外且用于接收外界聲音信號(hào)的聲孔。例如專利文獻(xiàn)1就公開(kāi)了一種此類產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)。
專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種MEMS麥克風(fēng),其結(jié)構(gòu)如圖1所示,MEMS麥克風(fēng)的圓槽形金屬外殼110和一個(gè)方形線路板120結(jié)合在一起形成MEMS麥克風(fēng)的封裝結(jié)構(gòu),線路板120上安裝有MEMS聲學(xué)芯片10和ASIC芯片20。這種MEMS麥克風(fēng)的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示,MEMS聲學(xué)芯片10的一個(gè)電極電連接ASIC芯片20的輸入端Vin,另一個(gè)電極連接ASIC芯片20的偏執(zhí)電壓端Bias,GND、Vout和Vdd分別是ASIC芯片20的接地端、輸出端和電源端。
然而,這種MEMS麥克風(fēng)的抗電磁干擾能力較弱,不符合現(xiàn)有電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)要求;同時(shí),電源端提供的外部電壓信號(hào)存在一定的噪聲波動(dòng),PSR(電源抑制比)較低,對(duì)產(chǎn)品性能有很大影響。
鑒于此,需要一種抗電磁干擾能力良好并且電源抑制比較高的MEMS麥克風(fēng)。
專利文獻(xiàn)1:中國(guó)發(fā)明專利公告第CN1933680號(hào)。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型就是為了解決上述問(wèn)題而提出的。
本實(shí)用新型提供一種MEMS麥克風(fēng),包括ASIC芯片和MEMS聲學(xué)芯片,所述ASIC芯片包括輸出端、電源端和接地端,并且,所述ASIC芯片的電源端與接地端之間連接有第一濾波電路;所述ASIC芯片的輸出端與接地端之間連接有第二濾波電路。
另外,優(yōu)選的是,ASIC芯片還包括偏執(zhí)電壓端和輸入端,MEMS聲學(xué)芯片的一個(gè)電極電連接所述ASIC芯片的輸入端,另一個(gè)電極電連接所述ASIC芯片的偏執(zhí)電壓端。
另外,優(yōu)選的是,所述第一濾波電路為一個(gè)電容器。
另外,優(yōu)選的是,所述第二濾波電路為一個(gè)電容器。
另外,優(yōu)選的是,所述第一濾波電路為一個(gè)壓敏電阻器。
另外,優(yōu)選的是,所述第二濾波電路為并聯(lián)在一起的兩個(gè)電容器。
另外,優(yōu)選的是,所述第二濾波電路為并聯(lián)在一起的一個(gè)壓敏電阻器和一個(gè)電容器。
另外,優(yōu)選的是,所述第二濾波電路為一個(gè)∏型濾波電路。
本實(shí)用新型通過(guò)在ASIC芯片的電源端和輸出端與接地端之間分別連接有第一濾波電路和第二濾波電路。第一濾波電路可以有效地阻止電源端的電源信號(hào)的噪聲波動(dòng)以及外界RF信號(hào)對(duì)ASIC芯片造成影響;第二濾波電路可以有效地阻止外界RF信號(hào)通過(guò)輸出端對(duì)ASIC芯片造成影響,可以大幅度的提高M(jìn)EMS麥克風(fēng)的PSR性能以及抗RF性能。
附圖說(shuō)明
通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)其實(shí)施例進(jìn)行描述,本實(shí)用新型的上述特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚和容易理解。
圖1是表示以往的MEMS麥克風(fēng)的具體結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖2是表示以往的MEMS麥克風(fēng)中的電路示意圖;
圖3是表示本實(shí)用新型涉及的MEMS麥克風(fēng)的電路示意圖;
圖4是表示本實(shí)用新型涉及的一種MEMS麥克風(fēng)的具體電路示意圖;
圖5是表示本實(shí)用新型涉及的第二種MEMS麥克風(fēng)的具體電路示意圖;
圖6是表示本實(shí)用新型涉及的第三種MEMS麥克風(fēng)的具體電路示意圖;
圖7是表示本實(shí)用新型涉及的第四種MEMS麥克風(fēng)的具體電路示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
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