[發明專利]晶圓制備過程中的介質層通孔填充方法

無效

• 申請號: 201019114028.7
• 申請日: 2010-02-04
• 公開（公告）號: CN102148193A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 陳建國;席華萍
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

1.一種晶圓制備過程中的介質層通孔填充方法，其特征在于，包括：

在制備好的介質層上刻蝕設定直徑的通孔；

刻蝕通孔后在所述介質層上表面、所述通孔的側壁及所述通孔底部的金屬層上表面鍍上包含鈦和氮化鈦的粘附層；

在淀積粘附層后的通孔中沉積金屬鎢至高出所述介質層上表面；

將高出所述介質層上表面的金屬鎢刻蝕掉。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蝕和濕法刻蝕相結合的方式刻蝕設定直徑的通孔。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔的直徑為0.55μm～0.7μm。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉淀的方式鍍上包含鈦和氮化鈦的粘附層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘附層的厚度為200A～600A。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用化學氣相沉淀的方式沉積金屬鎢。

7.如權利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述將高出所述介質層上表面的金屬鎢刻蝕掉，具體包括：

采用干法刻蝕的方式，以所述介質層上表面的所述粘附層為參照，將高出所述粘附層的金屬鎢刻蝕掉。