[發明專利]共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法

有效

• 申請號: 201019063031.0
• 申請日: 2010-02-05
• 公開（公告）號: CN101789399A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 曹子貴
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征在于，包括下列步 驟：

提供一半導體襯底，并依次沉積第一氧化層、浮柵多晶硅層、第二氧化層、 控制柵多晶硅層和氮化硅層；

對所述氮化硅層進行干法刻蝕直至露出所述控制柵多晶硅層，形成多個凹 槽；

對所述凹槽內的所述控制柵多晶硅層進行干法刻蝕，并進一步刻蝕所述第 二氧化層直至露出所述浮柵多晶硅層；

在露出所述浮柵多晶硅層的凹槽側壁沉積形成第一側墻氧化物層；

對側壁形成有第一側墻氧化物層的凹槽內的所述浮柵多晶硅層進行干法刻 蝕，并進一步刻蝕所述第一氧化層直至露出所述半導體襯底；

對露出所述半導體襯底的凹槽底部的半導體襯底進行離子注入，形成位線；

在所述露出所述半導體襯底的凹槽側壁沉積形成第二側墻氧化物層；

在上述結構表面沉積位線多晶硅，對所述位線多晶硅進行研磨并進一步干 法刻蝕直至所述位線多晶硅的高度降至側壁形成有第二側墻氧化物層的凹槽頂 面以下；

在上述結構表面沉積絕緣層，并對其進行研磨直至填滿所述側壁形成有第 二側墻氧化物層的凹槽；

濕法刻蝕去除所述氮化硅層，并在上述結構表面沉積第三側墻氧化物層；

對所述第三側墻氧化物層進行干法刻蝕形成第一側墻，并進一步干法刻蝕 去除部分控制柵多晶硅層和部分第二氧化層直至露出所述浮柵多晶硅層；

在上述結構表面沉積第四側墻氧化物，對其進行干法刻蝕形成第二側墻， 并進一步干法刻蝕去除部分浮柵多晶硅層和濕法刻蝕部分第一氧化層直至露出 所述半導體襯底；

在上述結構的部分表面上沉積隧穿氧化物層；

在上述結構的全部表面上沉積字線多晶硅。

2.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述第一氧化層的厚度為大于等于100埃。

3.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述浮柵多晶硅層的厚度為500埃～800埃。

4.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述第二氧化層的厚度為大于等于200埃。

5.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述控制柵多晶硅層的厚度為大于等于600埃。

6.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述氮化硅層的厚度為4000埃～6000埃。

7.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述第一側墻氧化物層的厚度為大于等于3000埃。

8.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述第二側墻氧化物層的厚度為大于等于500埃。

9.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述位線多晶硅的厚度為大于等于1900埃。

10.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述絕緣層的厚度為大于等于4000埃。

11.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述第四側墻氧化物的厚度為大于等于500埃。

12.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述隧穿氧化物層的厚度為大于等于150埃。

13.根據權利要求1所述的共享字線的無觸點分柵式閃存制造方法，其特征 在于，所述字線多晶硅的厚度為大于等于1900埃。