[發(fā)明專利]光敏組合物

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010625231.3
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102153695A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設計）人: J·W·撒克里;E·阿恰達
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: C08F220/32
• 分類號: C08F220/32;C08F220/18;C08F220/30;C08F220/38;C08F220/34;C08F220/28;G03F7/039;B32B27/06;G03F7/00;H01L21/027
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 郭輝

1.一種聚合物，其包括聚合物主鏈和共價連接到聚合物主鏈上的單光致酸生成劑，其中單光致酸生成劑衍生自分別以式(1a)或式(1b)所示的具有可聚合磺酸鹽陰離子的一個或多個锍鹽或碘鎓鹽：

其中：Y是氫、烷基、氟代烷基或氟；R₁、R₂、R₃、R₄和R₅獨立地選自取代或非取代芳基；和Z是直鏈或支鏈全氟烷基鏈或取代的芳香基。

2.根據權利要求1所述的聚合物，其中Z通過包括末端CF₂、C(F)(CF₃)或C(CF₃)₂的直鏈或支鏈氟代烷基鏈共價連接磺酸鹽陰離子。

3.根據權利要求1所述的聚合物，進一步包括含光致酸不穩(wěn)定基團的重復單元。

4.根據權利要求1所述的聚合物，進一步包括聚合的單元，其選自一個或多個甲基丙烯酸2-甲基金剛烷基酯、丙烯酸2-甲基金剛烷基酯、丙烯酸羥基金剛烷基酯、甲基丙烯酸羥基金剛烷基酯、馬來酸酐、降冰片烯、3，4-二氫吡喃、任選取代的苯基和任選取代的萘基。

5.根據權利要求1所述的聚合物，進一步包括連接到聚合物骨架上的一個或多個極性單體，其中所述極性單體以下述化學式之一或兩者所示：

6.一種包括權利要求1所述聚合物的正性光致抗蝕組合物。

7.根據權利要求6所述的正性光致抗蝕組合物，進一步包括第二聚合物，該聚合物包括沒有單光致酸生成劑共價連接其上的聚合物骨架；和光致酸不穩(wěn)定基團。

8.一種涂敷基板，包括：

(a)在表面上具有要形成圖案的一層或多層的基板；和

(b)在要形成圖案的所述一層或多層上的權利要求4所述正性光致抗蝕組合物層。

9.一種形成電子設備的方法，包括：

(a)將權利要求4所述正性光致抗蝕組合物層涂敷于基板上；

(b)按圖案使所述光致抗蝕組合物層曝光在激活輻射下；和

(c)將曝光的光致抗蝕組合物層顯影，得到抗蝕劑浮雕圖像。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述激活輻射是遠紫外以及電子束輻射。