[發(fā)明專利]使用半導(dǎo)體納米晶體的太陽能電池模塊無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010625042.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102163636A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸鉉定;鄭智元 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | LG電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/055 | 分類號(hào): | H01L31/055;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;湯俏 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 半導(dǎo)體 納米 晶體 太陽能電池 模塊 | ||
1.一種太陽能電池模塊,該太陽能電池模塊包括:
多個(gè)太陽能電池,各個(gè)太陽能電池包括至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層;
設(shè)置在所述多個(gè)太陽能電池的上表面上的至少一個(gè)透明部件;以及
用于密封所述多個(gè)太陽能電池的填充層,
其中,從所述至少一個(gè)透明部件和所述填充層中選擇的至少一層包含半導(dǎo)體納米晶體。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,該太陽能電池模塊還包括設(shè)置在所述多個(gè)太陽能電池的下表面上的背板。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述至少一個(gè)透明部件包括透明樹脂膜。
4.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述至少一個(gè)透明部件包括剛性透明基板和透明樹脂膜,并且,所述透明樹脂膜包含所述半導(dǎo)體納米晶體。
5.如權(quán)利要求4所述的太陽能電池模塊,其中,所述剛性透明基板是玻璃基板。
6.如權(quán)利要求4所述的太陽能電池模塊,其中,所述透明樹脂膜形成在所述剛性透明基板的正面和背面中的至少一個(gè)上。
7.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池模塊,其中,所述透明樹脂膜是有機(jī)樹脂膜或者氟化物樹脂膜。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體將波長(zhǎng)為大約300nm至500nm的入射光轉(zhuǎn)換成波長(zhǎng)為大約600nm至1100nm的發(fā)射光。
9.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體的直徑在大約1nm至100nm的范圍內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體發(fā)射的光的光子的數(shù)量大于入射到所述半導(dǎo)體納米晶體上的光的光子的數(shù)量。
11.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體具有核-殼結(jié)構(gòu),并且所述半導(dǎo)體納米晶體的核和殼的材料相同或者不同。
12.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,相對(duì)于其中包含了所述半導(dǎo)體納米晶體的所述至少一層的重量,所述半導(dǎo)體納米晶體的量在重量上為大約1%至10%
13.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體是從包括IV族元素、IIA-VIB族化合物、IIIA-VB族化合物、以及IIIB-VB族化合物的組中選擇的至少一種的晶體。
14.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述填充層由乙烯-醋酸乙烯共聚物制成。
15.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池模塊,其中,所述多個(gè)太陽能電池是從包括薄膜硅太陽能電池、晶體硅太陽能電池、化合物太陽能電池、染料敏化太陽能電池、以及有機(jī)太陽能電池的組中選擇的一種。
16.一種太陽能電池,該太陽能電池包括:
至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層;以及
設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換層的光入射表面上的至少一層,
其中,所述至少一層包含半導(dǎo)體納米晶體。
17.如權(quán)利要求16所述的太陽能電池,其中,所述至少一層是包括兩層或者更多層的至少一個(gè)防反射膜,并且,所述兩層或者更多層中的最上層包含所述半導(dǎo)體納米晶體。
18.如權(quán)利要求16所述的太陽能電池,其中,所述至少一個(gè)光電轉(zhuǎn)換層包括:第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板;以及射極層,該射極層摻雜有第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì),并且設(shè)置在所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板上,并且,
所述太陽能電池還包括:
連接到所述射極層的第一電極;以及
連接到所述第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體基板的第二電極。
19.如權(quán)利要求18所述的太陽能電池,其中,所述至少一層是至少一個(gè)防反射膜,并且所述至少一個(gè)防反射膜包括:
第一防反射膜,其包括至少一層,并且形成在所述射極層的上表面,使得所述第一電極通過所述第一防反射膜而連接到所述射極層;以及
第二防反射膜,其形成在所述第一防反射膜的正面,并且包含所述半導(dǎo)體納米晶體。
20.如權(quán)利要求16所述的太陽能電池,其中,所述半導(dǎo)體納米晶體是從包括IV族元素、IIA-VIB族化合物、IIIA-VB族化合物、IIIB-VB族化合物或其組合的組中選擇的至少一種的晶體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





