[發明專利]具有提高的噪聲特性的音頻放大電路

有效

• 申請號: 201010624729.8
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102570987A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 鐘國華;李祥生
• 申請（專利權）人: 意法半導體研發(深圳)有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種放大電路，包括：

第一電路單元(101)，用于接收并放大第一輸入電壓和第二輸入電壓，并產生輸出電壓，其中所述第一電路單元(101)包括第一放大器(111)與第二放大器(112)；

第二電路單元(102)，用于提供第一補償電流，所述第一補償電流與所述第一放大器的第一輸入電流相關，以補償所述第一輸入電流的變化；以及

第三電路單元(103)，用于提供第二補償電流，所述第二補償電流與所述第二放大器的第二輸入電流相關，以補償所述第二輸入電流的變化。

2.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，所述第一補償電流與所述第一輸入電流基本相等，且所述第二補償電流與所述第二輸入電流基本相等。

3.根據權利要求2所述的放大電路，其特征在于，所述第二電路單元(102)包括第一電流鏡(130)，所述第一電流鏡(103)用于鏡像所述第一輸入電流；所述第三電路單元(103)包括第二電流鏡(131)，所述第二電流鏡(131)用于鏡像所述第二輸入電流。

4.根據權利要求3所述的放大電路，其特征在于，所述第一放大器包括作為輸入級的第一雙極型晶體管對，所述第一雙極型晶體管對由第一MOS晶體管(161)提供的第一參考電流所偏置，且所述第一電流鏡包括第一雙極型晶體管(165)，第二MOS晶體管(162)，第三MOS晶體管(163)以及第四MOS晶體管(164)，其中，所述第二MOS晶體管(162)用于提供第二參考電流，所述第二MOS晶體管(162)的源極與所述第一雙極型晶體管(165)的發射極相耦接，所述第一雙極型晶體管(165)的集電極、所述第三MOS晶體管(163)的源極以及所述第四MOS晶體管(164)的源極均耦接至第一電源節點，所述第一雙極型晶體管(165)的基極與所述第三MOS晶體管(163)的漏極、柵極，以及所述第四MOS晶體管(164)的柵極相耦接，所述第四MOS晶體管(164)的漏極耦接至用于接收所述第一輸入電壓的第一輸入節點(141)；且所述第二電流鏡具有與所述第一電流鏡相同的結構。

5.根據權利要求4所述的放大電路，其特征在于，所述第二參考電流是所述第一參考電流的1/2，且所述第一雙極型晶體管與所述第一雙極型晶體管對的每個雙極型晶體管相同。

6.根據權利要求5所述的放大電路，其特征在于，所述第一參考電流與所述第二參考電流基于同一個電流源產生。

7.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，所述第一輸入電流與所述第二輸入電流具有不同的電流值。

8.根據權利要求1所述的放大電路，其特征在于，

所述第一放大器(111)具有第一輸入節點(141)、第三輸入節點(143)以及第一輸出節點(145)，所述第二放大器(112)具有第二輸入節點(142)、第四輸入節點(144)以及第二輸出節點(146)，其中，

所述第一放大器(111)用于在所述第一輸入節點(141)接收所述第一輸入電壓及所述第一輸入電流，所述第二放大器(112)用于在所述第二輸入節點(142)接收所述第二輸入電壓及所述第二輸入電流；所述第三輸入節點(143)通過第一電阻(114)耦接至所述第一輸出節點(145)，所述第四輸入節點(144)通過第二電阻(116)耦接至所述第二輸出節點(146)，所述第三輸入節點(143)通過阻抗單元(107)耦接至所述第四輸入節點(144)，所述放大電路在所述第一輸出節點(145)與所述第二輸出節點(146)間產生所述輸出電壓。

9.根據權利要求8所述的放大電路，其特征在于，所述阻抗單元(107)包括電阻。

10.根據權利要求8所述的放大電路，其特征在于，所述阻抗單元(107)包括第四電阻(118)、第五電阻(119)、第六電阻(120)以及第一電容(121)，其中，所述第四電阻(118)與所述第五電阻(119)串聯耦接至所述第三輸入節點(143)及所述第四輸入節點(144)間，所述第四電阻(118)與所述第五電阻(119)的公共端通過串聯連接的所述第六電阻(120)與所述第一電容(121)耦接至第一電源節點。

11.根據權利要求8所述的放大電路，其特征在于，還包括負載(117)，所述負載耦接于所述第一輸出節點(145)與所述第二輸出節點(146)間。