[發明專利]氣體絕緣高壓開關

無效

• 申請號: 201010624631.2
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102117713A
• 公開（公告）日: 2011-07-06
• 發明（設計）人: D·奧爾森;M·克里格爾;N·馬迪扎德;T·克爾
• 申請（專利權）人: ABB研究有限公司
• 主分類號: H01H33/91
• 分類號: H01H33/91
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 嚴志軍;梁冰

1.一種高壓開關，包括：

填充有具有滅弧特性的絕緣氣體的殼體(10)，所述殼體(10)限制用于所述絕緣氣體的存儲室(11)，

保持在所述殼體(10)中的觸頭組件，該觸頭組件帶有兩個接觸元件(20，30)，所述兩個接觸元件(20，30)在切換過程中借助于驅動件(D，D’)沿著軸線(A)相對于彼此運動，

固定在第一接觸元件(20)處的、環狀地繞著所述第一接觸元件的中空的電弧觸頭(21)而導引且用作容納電弧氣體的加熱腔(H)，所述加熱腔(H)在切斷時與容納切換電弧(S)的電弧區域(L)連通，

在切斷時由所述第一接觸元件(20)所操縱的活塞-缸體-壓縮裝置，該活塞-缸體-壓縮裝置帶有環狀地繞著所述中空的電弧觸頭(21)而導引的壓縮室(K)以用于提供壓縮的絕緣氣體，

布置在所述加熱腔(H)中的第一止回閥(RV₁)，在接通時通過所述第一止回閥(RV₁)將絕緣氣體從所述壓縮室(K)引導到所述加熱腔(H)中，

第一過壓閥(OV₁)，用于限制在所述壓縮室(K)中的壓縮的絕緣氣體的壓力，以及

布置在所述壓縮室(K)中的第二止回閥(RV₂)，在接通時通過所述第二止回閥(RV₂)將絕緣氣體引導到所述壓縮室(K)中，

其特征在于，所述開關還包括至少一個用作容納壓縮的絕緣氣體的第一擴充腔(E₁)，所述第一擴充腔(E₁)在所述第一過壓閥(OV₁)打開后與壓縮腔(K)連通，并且此后通過第三止回閥(RV₃)相對于所述存儲室(11)隔絕。

2.根據權利要求1所述的開關，其特征在于，設置有限制在所述第一擴充腔(E₁)中的壓力的第二過壓閥(OV₂)。

3.根據權利要求2所述的開關，其特征在于，所述第一擴充腔(E₁)通過所述第二過壓閥(OV₂)直接與所述存儲室(11)相連接。

4.根據權利要求2所述的開關，其特征在于，所述第一擴充腔(E₁)通過所述第二過壓閥(OV₂)直接與第二擴充腔(E₂)相連接。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的開關，其特征在于，所述第二擴充腔(E₂)通過第三過壓閥(OV₃)直接與所述存儲室(11)或第三擴充腔相連接。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的開關，其特征在于，在徑向向外限制所述壓縮室(K)的中空缸體(41)處固定有至少兩個軸向彼此有間隔的缸體底部(42，43)，所述至少兩個缸體底部(42，43)中的第一缸體底部(42)將所述壓縮室(K)和所述第一擴充腔(E₁)彼此相分離，并且共同地與所述第二缸體底部(43)確定所述第一擴充腔(E₁)的沿著所述軸線(A)而延伸的高度。

7.根據權利要求6所述的開關，其特征在于，所述第一過壓閥(OV₁)和所述第二止回閥(RV₂)保持在所述第一缸體底部(42)處，并且所述第二過壓閥(OV₂)和所述第三止回閥(RV₃)保持在所述第二缸體底部(43)處。

8.根據權利要求6或7中任一項所述的開關，其特征在于，在所述中空缸體(41)處固定有至少一個第三缸體底部(44)，所述第三缸體底部(44)共同地與所述第二缸體底部(43)確定第二擴充腔(E₂)的沿著所述軸線(A)而延伸的高度，并且保持第四止回閥(RV₄)以及必要時所設置的第三過壓閥(OV₃)。