[發(fā)明專利]發(fā)光元件搭載用基板及發(fā)光裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010624616.8 | 申請日： | 2010-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN102163680A | 公開（公告）日： | 2011-08-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 谷田正道;今北健二;渡邊和男 | 申請（專利權(quán)）人： | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 劉多益;胡燁 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 元件 搭載 用基板 裝置 | ||
1.一種發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，包括具有搭載發(fā)光元件的搭載面的基板主體、形成于所述基板主體的搭載面的一部分的使自所述發(fā)光元件發(fā)射的光反射的含銀的反射層、形成于所述反射層上的玻璃質(zhì)絕緣層，所述玻璃質(zhì)絕緣層包含至少以SiO2、Al2O3和/或B2O3以及堿金屬氧化物為構(gòu)成成分的玻璃，所述堿金屬氧化物包括選自Li2O、Na2O和K2O的至少1種，以所述成分的氧化物基準的摩爾％表示的含量計，(Li2O+Na2O+K2O)-Al2O3為-20～1.5％且SiO2+3×Al2O3在90％以下。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，以氧化物基準的摩爾％表示，所述玻璃包含：35～85％的SiO2，0～20％的Al2O3，0～25％的B2O3，高于5％且在40％以下的CaO、SrO和BaO中的至少1種，0～40％的CaO，0～14％的SrO，0～7％的BaO，高于1％且在7％以下的Li2O、Na2O和K2O中的至少1種。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，以氧化物基準的摩爾％表示，所述玻璃包含：35～85％的SiO2，高于5％且在20％以下的Al2O3，0～25％的B2O3，0～5％的CaO、SrO和BaO中的至少1種，高于1％且在7％以下的Li2O、Na2O和K2O中的至少1種。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，以氧化物基準的摩爾％表示，所述玻璃包含：35～70％的SiO2，1～15％的Al2O3，7～25％的B2O3，0～30％的CaO、SrO和BaO中的至少1種，高于1％且在7％以下的Li2O、Na2O和K2O中的至少1種。
5.如權(quán)利要求1～4中的任一項所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，所述玻璃質(zhì)絕緣層除所述玻璃以外還包含陶瓷填料。
6.如權(quán)利要求1～5中的任一項所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，在所述基板主體上形成有所述發(fā)光元件用連接端子部，所述玻璃質(zhì)絕緣層形成在除所述連接端子部以外的區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1～6中的任一項所述的發(fā)光元件搭載用基板，其特征在于，所述基板主體具有凹部，將所述凹部的底面作為所述發(fā)光元件搭載面。
8.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1～7中的任一項所述的發(fā)光元件搭載用基板、所述發(fā)光元件搭載用基板的所述玻璃質(zhì)絕緣層上所搭載的發(fā)光元件、被覆所述發(fā)光元件的熒光體層。
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