[發明專利]太陽能電池及其制造方法

有效

• 申請號: 201010623254.0
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102479825A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 陳建勛;陳毓儒
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18;B23K26/36
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;鮑俊萍

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

一硅基材，該硅基材的一第一面呈現一金字塔結構，且該金字塔結構的頂端呈現圓弧狀，該金字塔結構的棱線處形成外圓角；以及

一第一半導體層，設置于該硅基材的該第一面上，其中該第一半導體層的導電型態與該硅基材相反。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑小于該金字塔結構的底部的曲率半徑。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的棱線處外圓角的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，更包括一第一本質層，設置于該第一半導體層與該硅基材之間。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該半導體層的材質包括非晶硅或微晶硅。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，該硅基材的一第二面呈現該金字塔結構，且該金字塔結構的頂端呈現圓弧狀，該金字塔結構的棱線處形成外圓角，該第二面與該第一面相對。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑小于該金字塔結構的底部的曲率半徑。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

10.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，該金字塔結構的棱線處外圓角的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

11.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，更包括一第二半導體層，設置于該硅基材的該第二面上，其中該第二半導體層的導電型態與該硅基材相反。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，更包括一第二本質層，設置于該第二半導體層與該硅基材之間。

13.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅基材；

于該硅基材的一第一面形成一金字塔結構；

進行一激光處理工藝，使該金字塔結構的頂端呈現圓弧狀，該金字塔結構的棱線處形成外圓角；以及

于該硅基材的該第一面上形成一第一半導體層。

14.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑小于該金字塔結構的底部的曲率半徑。

15.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該金字塔結構的頂端的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

16.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，該金字塔結構的棱線處外圓角的曲率半徑為0.01μm^-1至1μm^-1。

17.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，于該硅基材的至少該第一面形成該金字塔結構的方法包括進行非等向性蝕刻工藝。

18.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，更包括于該硅基材的一第二面形成該金字塔結構，該第二面與該第一面相對。

19.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在該激光處理工藝中，使用的激光的波長為355nm～532nm。

20.根據權利要求13所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，在該激光處理工藝中，聚焦高度為-13.58mm～-14.6mm。