[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010623026.3
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102130125A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 林夏珍;金明宣;鄭會晟;都晉昈;金元洪;宋文均;朱大權
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;羅延紅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

裝置隔離層，布置在半導體基底的預定區域上，以限定有源區，所述有源區包括(100)晶面的中央頂表面和從所述中央頂表面延伸到所述裝置隔離層的傾斜邊緣表面；

半導體圖案，覆蓋所述有源區的所述中央頂表面和所述傾斜邊緣表面，所述半導體圖案包括(100)晶面的與所述有源區的所述中央頂表面平行的平坦頂表面和與所述平坦頂表面基本上和/或完全地垂直的側壁；

柵極圖案，與所述半導體圖案疊置。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體基底包括(100)晶面的主表面。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，與所述傾斜邊緣表面和所述裝置隔離層的接觸部分相比，所述中央頂表面和所述傾斜邊緣表面的接觸部分處于更高的高度。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述傾斜邊緣表面包括(110)晶面。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述半導體圖案的所述側壁包括(100)晶面。

6.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體基底的預定區域上形成裝置隔離層，以限定有源區，其中，所述有源區包括(100)晶面的中央頂表面和從所述中央頂表面延伸到所述裝置隔離層的傾斜邊緣表面；

在所述有源區的所述中央頂表面和所述傾斜邊緣表面上形成半導體圖案，其中，所述半導體圖案包括(100)晶面的與所述有源區的所述中央頂表面平行的平坦頂表面和與所述平坦頂表面基本上垂直的側壁；

形成與所述半導體圖案疊置的柵極圖案。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述傾斜邊緣表面包括(110)晶面。

8.如權利要求6所述的方法，其中，形成半導體圖案的步驟包括執行選擇性外延生長技術，使得所述半導體圖案包括(100)晶面。

9.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體基底的預定區域上形成裝置隔離層，以限定第一有源區和第二有源區，其中，所述第一有源區和所述第二有源區中的至少所述第一有源區包括(100)晶面的中央頂表面和從所述中央頂表面延伸到所述裝置隔離層的傾斜邊緣表面；

分別在所述第一有源區和所述第二有源區上形成第一半導體圖案和第二半導體圖案，其中，所述第一半導體圖案包括(100)晶面的與所述第一有源區的所述中央頂表面平行的平坦頂表面和與所述第一有源區的所述平坦頂表面基本垂直的側壁，所述第二半導體圖案包括具有第一帶隙能的下半導體圖案和具有與所述第一帶隙能不同的第二帶隙能的上半導體圖案；

形成分別與所述第一半導體圖案和所述第二半導體圖案疊置的第一柵極圖案和第二柵極圖案。

10.如權利要求9所述的方法，其中，所述傾斜邊緣表面包括(110)晶面。