[發(fā)明專利]沉金藥水、沉金方法及電路板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010622867.2
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102534584A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱興華;蘇新虹
• 申請（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司
• 主分類號: C23C18/42
• 分類號: C23C18/42;H05K3/18
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

1.一種沉金藥水，其特征在于，包括溶劑、金鹽以及含不飽和鍵的有機(jī)物，所述金鹽能夠與所述含不飽和鍵的有機(jī)物發(fā)生還原反應(yīng)而獲得金原子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉金藥水，其特征在于，基于所述溶劑的體積，所述金鹽的加入量為1～2g/L，優(yōu)選1.0～1.5g/L；和/或，所述含不飽和鍵的有機(jī)物中的不飽和鍵的數(shù)量與金離子的比例為1∶1以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的沉金藥水，其特征在于，還包括氰化物，優(yōu)選氰化鉀，基于所述溶劑的體積，所述氰化物的加入量為10～100ppm，優(yōu)選40～60ppm，更優(yōu)選45～55ppm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的沉金藥水，其特征在于，所述溶劑為去離子水。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的沉金藥水，其特征在于，所述含不飽和鍵的有機(jī)物為醛類、有機(jī)酸、酮或硫脲。

6.一種沉金方法，用于在電路板上沉積金層，其特征在于，包括以下步驟：

向缸體內(nèi)加入根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的沉金藥水；

將所述電路板放入所述沉金藥水中，促使所述沉金藥水中的所述金鹽與所述含不飽和鍵的有機(jī)物發(fā)生還原反應(yīng)而獲得金原子，所述金原子在所述電路板的表面形成金層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉金方法，其特征在于，基于所述溶劑的體積，保持所述含不飽和鍵的有機(jī)物的濃度偏差在±5ml/L。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的沉金方法，其特征在于，所述沉金藥水的溫度為75～85℃；和/或，所述藥水的溫度偏差在±1℃以內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任意一項(xiàng)所述的沉金方法，其特征在于，在向缸體內(nèi)加入所述的沉金藥水之前，采用去離子水清洗所述缸體，并使所述缸體內(nèi)的去離子水的導(dǎo)電率低于5μm。

10.一種電路板，在電路板的鍵合區(qū)域沉積有金層，其特征在于，所述金層是通過權(quán)利要求6-9所述沉金方法獲得。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路板，其特征在于，所述金層具有至少一種以下特征：

所述金層的厚度為0.1μm以上，

所述金層的厚度的均勻性為±0.03μm，

所述金層的Cpk值為1.0以上。