[發明專利]法拉第屏蔽及等離子體加工設備有效
| 申請號： | 201010622211.0 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102543636A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 王一帆;武曄;呂鈾 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01J37/09 | 分類號： | H01J37/09;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 張天舒;陳源 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 法拉第 屏蔽 等離子體 加工 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種法拉第屏蔽，包括至少兩個并排設置的屏蔽單元，每個所述屏蔽單元包括多個間隔排列設置的屏蔽段，且相鄰兩屏蔽單元所包括的屏蔽段交錯設置，其特征在于，所述屏蔽段均設置有朝向相對應交錯設置的屏蔽段的阻擋部，且相對應兩交錯設置的屏蔽段的阻擋部之間構成屏蔽通道。
2.根據權利要求1所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻擋部使相鄰兩所述屏蔽單元之間的間隙呈脈沖波形。
3.根據權利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻擋部設置在所述屏蔽段的兩側的端部。
4.根據權利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，相對應兩交錯設置的屏蔽段的阻擋部之間所構成的屏蔽通道的寬度小于所述法拉第屏蔽所在位置處的分子平均自由程。
5.根據權利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述屏蔽段的阻擋部與該屏蔽段相對應交錯設置的屏蔽段之間的距離小于所述法拉第屏蔽所在位置處的分子平均自由程。
6.根據權利要求1或2所述法拉第屏蔽，其特征在于，所述阻擋部由絕緣材料制作而成。
7.一種等離子體加工設備，包括真空腔室、電介質窗以及法拉第屏蔽，所述電介質窗設置在所述真空腔室上，所述法拉第屏蔽設置在真空腔室的內側且與所述電介質窗相對設置，其特征在于，所述法拉第屏蔽采用權利要求1-6任意一項所述法拉第屏蔽。
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