[發明專利]一種GaN基發光二極管的制作方法有效
| 申請號： | 201010622187.0 | 申請日： | 2010-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN102544250A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 王立彬 | 申請（專利權）人： | 同方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
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| 地址： | 100083 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 發光二極管 制作方法 | ||
1.一種GaN基發光二極管的制作方法，它的方法步驟為：
①在藍寶石襯底(1)上外延氮化鎵層(2)，氮化鎵層(2)包含N-GaN層、有源層和P-GaN層；
②研磨減薄藍寶石襯底(1)；
③在氮化鎵層(2)表面采用電子束蒸發設備蒸鍍ITO薄膜(3)；
④在器件表面涂膠、曝光和顯影形成掩蔽層，用ITO刻蝕液刻蝕出N型電極區域的ITO，然后采用ICP設備刻蝕出N型電極區域(4)，去除光刻膠，在N2氣氛中退火；
⑤用PECVD蒸鍍SiO2鈍化層(5)；
⑥在器件表面涂膠、曝光和顯影形成掩蔽層，用BOE腐蝕SiO2鈍化層(5)，用電子束蒸發設備蒸鍍金屬電極，剝離去膠，形成P-GaN層上的金屬電極一(6)與N-GaN上的金屬電極二(7)，然后在N2氣氛中退火；
⑦在器件上表面涂膠、曝光和顯影形成掩蔽層，用ICP刻蝕工藝刻蝕切割道，露出藍寶石襯底(1)的部分上表面；
⑧在藍寶石襯底(1)底面進行激光劃片，產生熔渣碎屑(8)；
⑨將藍寶石襯底(1)的底面向上放置于ICP設備中，進行ICP刻蝕，清除熔渣碎屑(8)；
⑩最后進行裂片，形成單個發光二極管芯片。
2.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制作方法，其特征在于，在完成外延工藝后，先做研磨工藝，然后做刻蝕、電極等工藝。
3.根據權利要求1或2所述的GaN基發光二極管的制作方法，其特征在于，所述藍寶石襯底(1)的厚度研磨減薄至120微米至300微米。
4.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制作方法，其特征在于，所述的激光劃片產生的熔渣碎屑(8)，采用ICP刻蝕方法清除。
5.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管的制作方法，其特征在于，所述的刻蝕切割道，該刻蝕深度位置可以位于GaN外延層位置，可以位于藍寶石襯底的上表面，也可以位于藍寶石內的位置。
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