[發明專利]基于半導體光放大芯片的激光器

無效

• 申請號: 201010621994.0
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102104232A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 阮軍;張首剛;吳長江;張輝;劉杰;劉丹丹
• 申請（專利權）人: 中國科學院國家授時中心
• 主分類號: H01S5/10
• 分類號: H01S5/10;H01S5/30
• 代理公司: 西安永生專利代理有限責任公司 61201
• 代理人: 申忠才

1.一種基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：在底板(10)上設置有側壁加工有導線孔、右側壁加工有出光孔的蓋體(9，蓋體(9)內底板(10)的左側設置安裝有壓電換能器(1)的支撐塊(12)，壓電換能器(1)的右側設置有全反射鏡(2)，底板(10)上全反射鏡(2)右側水平光軸方向設置有聚焦透鏡(3)，聚焦透鏡(3)右側水平光軸方向設置有選模器件(4)，選模器件(4)右側水平光軸方向設置有第一準直透鏡(5)，第一準直透鏡(5)右側水平光軸方向設置有入射面鍍有增透膜、出射鍍有部分反射膜的半導體光放大芯片(6，半導體光放大芯片(6右側水平光軸方向設置有第二準直透鏡(7)，第二準直透鏡(7)右側水平光軸方向設置有柱透鏡(8)。

2.按照權利要求1所述的基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：所說的半導體光放大芯片(6)入射面的增透膜為真空交替蒸鍍8～12層二氧化硅和二氧化鋯增透膜、出射面的部分反射膜為真空交替蒸鍍10～18層氟化鎂和氟化鈣反射膜或真空交替蒸鍍10～16層二氧化硅和氟化鎂反射膜。

3.按照權利要求1所述的基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：所說的全反射鏡(2)與半導體光放大芯片(6)出射面的部分反射膜構成激光諧振腔，聚焦透鏡(3)位于諧振腔內，全反射鏡(2位于聚焦透鏡(3)的焦點所在的垂直平面內，全反射鏡(2)與聚焦透鏡(3)之間的距離與聚焦透鏡(3)的焦距相等，全反射鏡(2)的鏡面上真空交替蒸鍍有24～30層三氧化二鋁和五氧化二鉭反射膜。

4.按照權利要求1所述的基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：所說的選模器件(4)為帶寬小于200GHz、刻線密度為300～600l/mm的透射光柵或透過率為80％～97％的法布里-珀羅標準具。

5.按照權利要求1所述的基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：所說的半導體光放大芯片(6)與第一準直透鏡(5)之間的距離與第一準直透鏡(5)的焦距相等。

6.按照權利要求1所述的基于半導體光放大芯片的激光器，其特征在于：所說的柱透鏡(8)與半導體光放大芯片(6)之間的距離與柱透鏡(8)的焦距相等。