[發(fā)明專利]一種高產(chǎn)率的激光熱處理裝置和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010621833.1 | 申請日: | 2010-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN102157347A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 嚴(yán)利人;周衛(wèi);劉朋;竇維治 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 史雙元 |
| 地址: | 100084 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 高產(chǎn) 激光 熱處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造裝置與技術(shù)范圍,特別涉及一種高產(chǎn)率的激光熱處理裝置和方法。
背景技術(shù)
激光作用于半導(dǎo)體晶圓片,可對半導(dǎo)體晶圓片的表面進(jìn)行熱處理加工。由于激光光束面積有限,即便是經(jīng)過了光學(xué)系統(tǒng)的擴(kuò)束,也需要進(jìn)行較長時(shí)間的掃描移動(dòng),受到光束輻照的區(qū)域才能夠覆蓋全部的晶圓片表面,因此激光熱處理的過程一般需要較長處理時(shí)間,單機(jī)產(chǎn)率是比較低的。
除去激光束對晶圓片表面的掃描需要較長的時(shí)間之外,由于晶圓片是從室溫狀態(tài)進(jìn)入到熱處理工藝腔中的,對于當(dāng)前主流的帶輔助加熱的激光處理工藝來說,還需要有一個(gè)升溫、穩(wěn)定的時(shí)間過程,以及在處理完成后的降溫過程,所有過程加在一起,進(jìn)一步限制了激光加工類機(jī)器的生產(chǎn)效率。例如,如果激光掃描晶圓片的時(shí)間為5分鐘,則加上頭尾的預(yù)升溫與降溫時(shí)間,設(shè)備處理晶圓片的產(chǎn)率為一小時(shí)不足10片,與之形成對比的是,先進(jìn)半導(dǎo)體制造中的光刻機(jī),其處理晶圓片的速度,通常能夠做到每小時(shí)100片。如果激光光束的截面積更小,晶圓片的尺寸更大,則生產(chǎn)效率的問題,將更加嚴(yán)重。
本發(fā)明針對上面提到的問題,提出了一種進(jìn)行激光熱處理的裝置。該裝置利用了三個(gè)處理腔輪轉(zhuǎn)的方式,使得在激光熱處理過程中,預(yù)升溫、激光輻照、降溫三個(gè)過程能夠充分地并發(fā)進(jìn)行。晶圓片在同一個(gè)處理腔中完成所有的處理步驟,并不需要像常規(guī)多腔半導(dǎo)體設(shè)備那樣,不同的工藝環(huán)節(jié)需要進(jìn)、出不同的工藝腔室。對于熱處理的激光源,控制激光源在已經(jīng)預(yù)升溫完成的晶圓片之間輪轉(zhuǎn)工作,激光源的利用效率可以達(dá)到最高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高產(chǎn)率的激光熱處理裝置和方法,其特征在于,所述高產(chǎn)率的激光熱處理裝置為由三個(gè)工藝處理腔及各自附屬的進(jìn)出片機(jī)構(gòu)組成;在工藝處理腔8內(nèi),在頂桿5頂部為片托4,在工藝處理腔8的外壁上部盤繞加熱爐絲1,下部盤繞冷卻液管2,這樣在加熱爐絲和冷卻液管的共同作用下,在工藝處理腔8內(nèi)部造成上熱下冷的穩(wěn)定溫度場;
在工藝處理腔8的底端7中心設(shè)置頂桿5進(jìn)入到工藝處理腔中的通道孔6。
所述工藝處理腔8的底端固定機(jī)械手10,機(jī)械手10執(zhí)行送片和取片就是從這里進(jìn)出。
所述工藝處理腔8的頂端設(shè)置透過激光束9的透明窗3,激光束9透過透明窗3對晶圓片的表面進(jìn)行掃描處理。
所述加熱爐絲和冷卻液管均為根據(jù)圓柱腔體內(nèi)部從上至下遞減的溫度場分布分別分段盤繞或疏密漸變盤繞。
所述加熱爐絲可以為分組的高頻感應(yīng)加熱線圈。
所述三個(gè)工藝處理腔成品字型布置,每個(gè)工藝處理腔均配置一個(gè)取送片的機(jī)械手,位于工藝處理腔的底端。
一種權(quán)利要求1所述高產(chǎn)率的激光熱處理裝置對晶圓片進(jìn)行激光熱處理的方法,具體步驟如下:
本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明采用對于晶圓片的激光熱處理在三個(gè)工藝處理腔中輪轉(zhuǎn)進(jìn)行的裝置和方法,使得在激光熱處理的過程中,預(yù)升溫、激光輻照、降溫三個(gè)過程能夠充分地并發(fā)進(jìn)行。此外,由于晶圓片是在同一個(gè)處理腔中完成所有的處理步驟,并不需要像常規(guī)多腔半導(dǎo)體設(shè)備那樣,不同的工藝環(huán)節(jié)需要進(jìn)、出不同的工藝處理腔室,所以進(jìn)一步節(jié)約了處理的時(shí)間。控制激光源在已經(jīng)預(yù)升溫完成的晶圓片之間輪轉(zhuǎn)工作,對激光源的利用也實(shí)現(xiàn)了最高的效率。
附圖說明
圖1為一個(gè)工藝處理腔的示意圖。
圖2是利用三個(gè)相同的工藝處理腔,配置成為整臺激光熱處理裝置的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供一種高產(chǎn)率的激光熱處理裝置和方法。采用了三個(gè)工藝處理腔,在處理方法上,對于晶圓片的激光熱處理采用在各工藝處理腔中輪轉(zhuǎn)進(jìn)行的方式,使得在激光熱處理的過程中,預(yù)升溫、激光輻照、降溫三個(gè)過程能夠充分地并發(fā)進(jìn)行。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明予以說明。
圖1所示為一個(gè)工藝處理腔的示意圖。圖中工藝處理腔8為圓柱體腔,采用石英或SiC等材料制成,爐管總長度50厘米至2米。需要指出,工藝處理腔可以是同種材料制成的一個(gè)整體性的腔,也可以是由多個(gè)部件接合起來構(gòu)成。
在工藝處理腔8的底端7中心設(shè)置頂桿5進(jìn)入到工藝處理腔中的通道孔6所述工藝處理腔8的底端固定機(jī)械手10,機(jī)械手10執(zhí)行送片和取片就是從這里進(jìn)出。
在工藝處理腔體8的外側(cè)壁,環(huán)繞分組的加熱線圈1和冷卻液管路2,可在工藝腔體中形成從上至下漸冷的控溫場。
工藝處理腔體的上端面3,采用對于熱處理激光束是透明的材料制成,石英材料是一種比較好的選擇,因?yàn)樵摬牧蠈τ诮^大多數(shù)目前在用的激光束都是可以透過的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





