[發明專利]一種用于曝光機對準的光罩及光罩對準標記制作方法無效
| 申請號: | 201010621803.0 | 申請日: | 2010-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN102566255A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 戴新華;徐國剛;趙志敏;馬玉玲 | 申請(專利權)人: | 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 曝光 對準 標記 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件生產技術領域,尤其涉及一種用于曝光機對準的光罩及光罩對準標記制作方法。
背景技術
曝光機臺在進行曝光之前,需要根據用于對其進行對準的光罩上包含的對準標記進行對準,對準后才可以進行曝光。而現有的光罩上只包含一組對準標記,用于對一種型號的曝光機臺進行對準。由于光罩上包含的對準標記較少,因此限制了光罩的使用范圍。當采用不同型號的曝光機臺進行曝光時,需要在光罩在使用前更換光罩,在根據更換后的光罩進行對準。
由于在更換光罩后,需要對光罩進行對準,并且當曝光過程中需要的曝光機臺比較多時,在每個光罩對準的過程中很可能存在不準確的問題,即光罩之間不可能完全對準。因此當曝光機臺根據光罩上包含的對準標記進行對準后,也是不準確的,當采用該未準確對準的曝光機臺進行曝光時,也會影響曝光產品的精度。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種用于曝光機對準的光罩及光罩對準標記制作方法,用以解決現有技術中由于光罩更換過程中由于光罩對準不準確,影響曝光產品的精度的問題。
本發明實施例提供的一種用于曝光機對準的光罩,包括:
第一組對準標記,第二組對準標記和第三組對準標記中的至少兩組,其中,
所述第一組對準標記包括Rx1、Ry1和Rθ1,其中Rx1位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,并且距離所述中心點54毫米,Ry1位于經過所述光罩中心點的橫軸的負半軸,距離所述中心點53毫米,Rθ1位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點53毫米,
所述第二組對準標記包括Rx2、Ry2和Rθ2,其中Rx2位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,并且距離所述中心點52毫米,Ry2位于經過所述光罩中心點的橫軸的負半軸,距離所述中心點43毫米,Rθ2位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點43毫米,
所述第三組對準標記;Rx3、Ry2、X和Y,其中Rx3位于經過所述光罩中心點的縱軸的正半軸,并且距離所述中心點52毫米,X位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,距離所述中心點50毫米,Y位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點40.5毫米。
本發明實施例提供的一種光罩對準標記制作方法,包括:
確定光罩的中心點,及經過該中心點的橫軸和縱軸;
在經過中心點的橫軸和縱軸上確定至少兩組對準標記的位置,根據確定的每組對準標記的位置進行顯影、刻蝕每組對準標記,
其中,第一組對準標記包括Rx1、Ry1和Rθ1,其中Rx1位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,并且距離所述中心點54毫米,Ry1位于經過所述光罩中心點的橫軸的負半軸,距離所述中心點53毫米,Rθ1位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點53毫米,
第二組對準標記包括Rx2、Ry2和Rθ2,其中Rx2位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,并且距離所述中心點52毫米,Ry2位于經過所述光罩中心點的橫軸的負半軸,距離所述中心點43毫米,Rθ2位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點43毫米,
第三組對準標記包括Rx3、Ry2、X和Y,其中Rx3位于經過所述光罩中心點的縱軸的正半軸,并且距離所述中心點52毫米,X位于經過所述光罩中心點的縱軸的負半軸,距離所述中心點50毫米,Y位于經過所述光罩中心點的橫軸的正半軸,距離所述中心點40.5毫米。
本發明實施例提供了一種用于曝光機對準的光罩及光罩對準標記制作方法,該光罩包括第一組對準標記,第二組對準標記和第三組對準標記中的至少兩組,每組對準標記位于經過光罩中心點的橫軸和縱軸上。由于在本發明實施例中該用于曝光機臺校準的光罩包括至少兩組對準標記,因此擴大了采用該光罩進行對準的曝光機臺的范圍,減小了在每次曝光過程中更換光罩的可能性,從而降低了曝光過程中產生的誤差,提高了曝光產品的精度。
附圖說明
圖1為本發明實施例提供的一種用于曝光機對準的光罩包含的每組校準標記的結構示意圖;
圖2A、圖2B、圖2C為本發明實施例提供的對準標記Ry1、Ry2及Rθ1與其對應對準區域的關系;
圖3為本發明實施例提供的對準標記Rθ2與其對應對準區域的關系;
圖4為本發明實施例提供的對準標記Rx1和Rx2與其對應對準區域的關系;
圖5為本發明實施例提供的為對準標記X的結構示意圖關系;
圖6為本發明實施例提供的為對準標記Y的結構示意圖關系;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司,未經北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010621803.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:車(船)速動態管控平臺
- 下一篇:一種賁亭酸甲酯的連續化合成方法
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





