[發(fā)明專利]倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010621793.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102153960A | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高本尚英;松村健;志賀豪士 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | C09J7/02 | 分類號(hào)： | C09J7/02;H01L21/77;H01L21/68;H01L21/50;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 倒裝 芯片 半導(dǎo)體 背面 | ||
1.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導(dǎo)體元件的背面上，
其中所述膜包括晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層，和
其中，所述晶片粘合層對(duì)于波長為532nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光標(biāo)識(shí)層對(duì)于波長為532nm的光具有小于40％的透光率。
2.一種倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其形成于倒裝芯片連接至被粘物的半導(dǎo)體元件的背面上，
其中所述膜包括晶片粘合層和激光標(biāo)識(shí)層，和
其中，所述晶片粘合層對(duì)于波長為1064nm的光具有40％以上的透光率，以及所述激光標(biāo)識(shí)層對(duì)于波長為1064nm的光具有小于40％的透光率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，其中將所述晶片粘合層和所述激光標(biāo)識(shí)層兩者均著色。
4.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括：
切割帶，所述切割帶包括基材和在所述基材上形成的壓敏粘合劑層；和
根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜，所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜以將所述激光標(biāo)識(shí)層層壓于所述切割帶的壓敏粘合劑層上的方式形成于所述切割帶的壓敏粘合劑層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。
6.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：
將工件粘貼至根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜中的晶片粘合層上，
切割所述工件以形成芯片形工件，
將所述芯片形工件與所述倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層剝離，和
將所述芯片形工件通過倒裝芯片接合固定至被粘物。
7.一種倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件，其使用根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造，所述半導(dǎo)體器件包括芯片形工件和粘貼至所述芯片形工件背面的倒裝芯片型半導(dǎo)體背面用膜。
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