[發明專利]發光器件及其制造方法、發光器件封裝以及照明系統

有效

• 申請號: 201010621713.1
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102142493A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 姜大成;鄭明訓
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 夏凱;謝麗娜

1.一種發光器件，包括：

反射層，所述反射層包括具有第一折射率的第一GaN基半導體層、具有小于所述第一折射率的第二折射率的第二GaN基半導體層、以及具有小于所述第二折射率的第三折射率的第三GaN基半導體層；和

所述反射層上的發光結構層，所述發光結構層包括第一導電類型半導體層、第二導電類型半導體層、以及被設置在所述第一導電類型半導體層和所述第二導電類型半導體層之間的有源層。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層和所述第二GaN基半導體層在垂直方向上被交替地堆疊在所述反射層的第一區域中，并且所述第二GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層在垂直方向上被交替地堆疊的所述反射層的第二區域中。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層和第三GaN基半導體層在水平方向上被交替地設置在所述反射層的第三區域中，并且所述第二GaN基半導體層被設置在所述反射層的第四區域中。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其中以晶格形狀沿著所述水平方向設置所述第一GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層。

5.根據權利要求3所述的發光器件，其中以條紋形狀沿著所述水平方向設置所述第一GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層。

6.根據權利要求2所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層和第二GaN基半導體層在水平方向上被交替地設置在所述反射層的第三區域中，并且所述第二GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層被交替地設置在所述反射層的第四區域中。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中以晶格形狀水平地設置所述第一GaN基半導體層和所述第二GaN基半導體層，并且以晶格形狀水平地設置所述第二GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層。

8.根據權利要求6所述的發光器件，其中以條紋形狀水平地設置所述第一GaN基半導體層和所述第二GaN基半導體層，并且以條紋形狀水平地設置所述第二GaN基半導體層和所述第三GaN基半導體層。

9.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層包括InGaN層，所述第二GaN基半導體層包括GaN層，并且所述第三GaN基半導體層包括AlGaN層。

10.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括氮化物半導體層和襯底，所述氮化物半導體層和襯底被設置在所述反射層下。

11.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括在所述第一導電類型半導體層上的第一電極層和在所述第二導電類型半導體層上的第二電極層。

12.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層、所述第二GaN基半導體層、以及所述第三GaN基半導體層中的每一個具有大約40nm至大約60nm的厚度。

13.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一GaN基半導體層、所述第二GaN基半導體層、以及所述第三GaN基半導體層中的每一個具有大約40nm至大約50nm的寬度。

14.一種發光器件封裝，包括：

封裝主體；

第一和第二電極，所述第一和第二電極在所述封裝主體上，所述第一和第二電極被彼此電氣地分離；

根據權利要求1至權利要求14中的任何一項所述的發光器件，所述發光器件被設置在所述封裝主體上并且電氣地連接到所述第一和第二電極；以及

成型構件，所述成型構件包圍所述發光器件。