[發明專利]一種抗潮解紫外三倍頻晶體及制備方法和用途

有效

• 申請號: 201010621151.0
• 申請日: 2010-12-24
• 公開（公告）號: CN102545019A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 吳以成;張建秀;王麗榮;吳洋;王桂玲;傅佩珍
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: H01S3/109
• 分類號: H01S3/109;G02F1/361
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 高宇;楊小蓉

1.一種La₂CaB₁₀O₁₉三倍頻光學晶體器件，其為La₂CaB₁₀O₁₉晶體按I型或II型三倍頻位相匹配方向切割后，兩通光面拋光并鍍有介質膜而制得的La₂CaB₁₀O₁₉晶體三倍頻光學器件；所述La₂CaB₁₀O₁₉晶體三倍頻器件為La₂CaB₁₀O₁₉晶體I型三倍頻器件或La₂CaB₁₀O₁₉晶體II型三倍頻器件。

2.一種權利要求1所述La₂CaB₁₀O₁₉三倍頻光學晶體器件的制備方法，其步驟如下：對La₂CaB₁₀O₁₉晶體在1064波段的標準Ⅰ類相位匹配時的倍頻系數進行了測量，得到4個非零的倍頻系數，其分別為：

d₂₁＝(0.58±0.06)pm/V；

d₂₂＝(1.04±0.03)pm/V；

d₂₃＝(0.25±0.02)pm/V；

d₁₄＝(0.70±0.05)pm/V；

利用最小偏向角測定了La₂CaB₁₀O₁₉晶體從363nm-2325nm之間13個波長下的主折射率，擬合得到Sellmeire方程：

nx2=2.7822579+0.0160703λ2-0.0149796-0.0153541λ2]]>

ny2=2.7859832+0.0158296λ2-0.014627-0.0153774λ2]]>

nz2=2.9681748+0.0195743λ2-0.0175390-0.02061085λ2]]>

其中，n_x，n_y，n_z為La₂CaB₁₀O₁₉晶體的三個主軸折射率，單位為μm；λ為入射波長；

采用以上Sellmeire方程，利用計算機編程，計算分別得到La₂CaB₁₀O₁₉晶體I型和La₂CaB₁₀O₁₉晶體II型三倍頻相位匹配曲線，再分別結合以上測量得到的倍頻系數確定La₂CaB₁₀O₁₉晶體轉換效率高的相位匹配點，然后按相位匹配方向對La₂CaB₁₀O₁₉晶體進行切割，制成三倍頻器件，將三倍頻器件兩通光面拋光并鍍上介質膜；得到La₂CaB₁₀O₁₉晶體三倍頻器件；所述La₂CaB₁₀O₁₉晶體三倍頻器件為La₂CaB₁₀O₁₉晶體I型三倍頻器件或La₂CaB₁₀O₁₉晶體II型三倍頻器件。