[發(fā)明專利]發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010620982.6 | 申請日: | 2010-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN102163670A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭疇溶;鄭泳奎 | 申請(專利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/32 | 分類號: | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/00;H01L25/075;H01S5/042 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 夏凱;謝麗娜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 封裝 以及 照明 系統(tǒng) | ||
1.一種發(fā)光器件,包括:
發(fā)光結(jié)構(gòu)層,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層包括第一半導(dǎo)體層、有源層、以及第二半導(dǎo)體層;
電極,所述電極被電氣地連接到所述第一半導(dǎo)體層;
電極層,所述電極層在發(fā)光結(jié)構(gòu)層的下面;以及
導(dǎo)電支撐構(gòu)件,所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件在所述電極層下面,
其中,所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件包括從其至少一個(gè)邊緣凸出的突出部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的至少一個(gè)下邊緣的一部分凸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部的一部分在與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的方向相對的方向上從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的下邊緣凸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的至少一個(gè)上邊緣凸出。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部的一部分在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的方向上從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的上邊緣凸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部在彼此相對的方向上從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的上邊緣和下邊緣中的至少一部分凸出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部包括從由所述電極層和所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的材料組成的組中選擇的至少一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的方向上從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的至少一個(gè)邊緣凸出了10μm或者更小的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層隔開了1μm或者更多的距離。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述電極層包括多個(gè)導(dǎo)電層,并且至少一個(gè)導(dǎo)電層被布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件,進(jìn)一步包括溝道層,所述溝道層具有被設(shè)置在所述導(dǎo)電層的至少一個(gè)的外部處和在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的第一區(qū)域的外圍部分處的內(nèi)部,以及從所述內(nèi)部延伸超出所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的側(cè)壁的外部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部從所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的至少一個(gè)邊緣凸出超出所述溝道層的頂表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件,其中,所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件包括凹陷部分,所述凹陷部分從其至少一個(gè)橫向表面向內(nèi)凹陷。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部凸出超出所述發(fā)光結(jié)構(gòu)層的有源層。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件,其中,所述突出部從具有所述凹陷部分的所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件的橫向表面的邊緣凸出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于LG伊諾特有限公司,未經(jīng)LG伊諾特有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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