[發明專利]半導體裝置以及其制造方法

有效

• 申請號: 201010620964.8
• 申請日: 2007-02-25
• 公開（公告）號: CN102142443A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 高野圭惠;加藤清;桑原秀明
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;G11C13/00;H01L21/8246;H01L27/112;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 俞華梁;高為

1.一種包含至少一個存儲單元的半導體裝置，所述存儲單元包括：

共同的第一電極；

共同的第二電極；以及

在所述共同的第一電極與所述共同的第二電極之間的共同材料層，

其中，所述共同的第一電極具有包含底層和頂層的疊層結構，

其中，所述底層的面積大于所述頂層的面積，以及

其中，所述存儲單元能存儲多個位。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括絕緣層，所述絕緣層至少設置有與所述共同的第一電極重疊的第一開口、第二開口以及第三開口，

其中，所述絕緣層位于所述共同的第一電極與所述共同材料層之間。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

其中，所述底層的端部位于所述第一開口中，以及

其中，所述頂層的端部位于所述第二開口中。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中在所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口中的每單位面積的存儲容量彼此不同。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，在所述第一開口、所述第二開口以及所述第三開口中的每一個中，由于電壓施加到其上而電阻發生改變，以及

其中，在所述第一開口中電阻發生改變的電壓值不同于所述第二開口和所述第三開口中電阻發生改變的電壓值。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述頂層的側面的錐角不同于所述底層的側面的錐角。

7.一種包含至少一個存儲單元的半導體裝置，所述存儲單元包括：

共同的第一電極；

共同的第二電極；以及

在所述共同的第一電極與所述共同的第二電極之間的共同材料層，

其中，所述共同的第一電極具有包含底層和頂層的疊層結構，以及

其中，所述底層的端部延伸超出所述頂層的端部。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括絕緣層，所述絕緣層至少設置有與所述共同的第一電極重疊的第一開口、第二開口和第三開口，

其中，所述絕緣層位于所述共同的第一電極和所述共同材料層之間。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，

其中所述底層的端部位于所述第一開口中，以及

其中所述頂層的端部位于所述第二開口中。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中在所述第一開口、所述第二開口以及所述第三開口中的每單位面積的存儲容量彼此不同。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，在所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口中的每一個中，由于電壓施加到其上而電阻發生改變，以及

其中，在所述第一開口中電阻發生改變的電壓值不同于所述第二開口和所述第三開口中電阻發生改變的電壓值。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述頂層的側面的錐角不同于所述底層的側面的錐角。

13.一種包含至少一個存儲單元的半導體裝置，所述存儲單元包括：

共同的第一電極；

共同的第二電極；以及

在所述共同的第一電極和所述共同的第二電極之間的共同材料層，

其中，所述共同的第一電極具有包含底層和頂層的疊層結構，以及

其中，所述底層的膜厚不同于所述頂層的膜厚。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，還包括絕緣層，所述絕緣層至少設置有與所述共同的第一電極重疊的第一開口、第二開口和第三開口，

其中，所述絕緣層位于所述共同的第一電極和所述共同材料層之間。

15.根據權利要求14所述的半導體裝置，

其中所述底層的端部位于所述第一開口中，以及

其中所述頂層的端部位于所述第二開口中。

16.根據權利要求14所述的半導體裝置，其中在所述第一開口、所述第二開口以及所述第三開口中的每單位面積的存儲容量彼此不同。