[發(fā)明專利]納米晶快閃存儲器柵極的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010620308.8
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102543703A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉文源;黃柏喻;王蒙
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，包括：

提供一硅襯底；

在所述硅襯底上沉積一隧穿氧化層；

在所述隧穿氧化層上沉積一金屬硅化物層；

在所述金屬硅化物層上沉積一阻擋層；

對所述金屬硅化物層進(jìn)行氟離子注入工藝；

在氧氣環(huán)境中進(jìn)行快速熱退火工藝，使得所述金屬硅化物層轉(zhuǎn)變成浮柵，所述浮柵包括絕緣介質(zhì)以及被絕緣介質(zhì)隔離的金屬納米晶；

在所述阻擋層上形成一控柵。

2.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成一隧穿氧化層前，對所述硅襯底進(jìn)行表面清潔處理。

3.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，在所述硅襯底上形成一隧穿氧化層的工藝包括：

沉積一硅化物層；

進(jìn)行第一快速熱退火工藝。

4.如權(quán)利要求3所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述硅化物層的厚度為30埃～150埃。

5.如權(quán)利要求3所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述第一快速熱退火工藝的退火溫度為1000℃～1200℃。

6.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述金屬硅化物層的厚度為40埃～150埃。

7.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為20埃～120埃，材料為非晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述氟離子的注入量為10¹³cm^-3～10¹⁵cm^-3。

9.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述快速熱退火工藝的退火溫度為800℃～1000℃。

10.如權(quán)利要求1所述的納米晶快閃存儲器柵極的制造方法，其特征在于，所述控柵的厚度為600埃～1200埃，材料為多晶硅。