[發明專利]拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極有效
| 申請號: | 201010620111.4 | 申請日: | 2010-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102130193A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 陳蘇平 | 申請(專利權)人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 拓撲學 原理 設計 太陽能電池 電極 | ||
1.一種拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,包括細柵線(1)和主柵線(2),其特征是:所述的電池片正面的多根細柵線(1)為同心圓和同心圓弧形,相鄰細柵線(2)之間的距離為2~3mm。
2.根據權利要求1所述的拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,其特征是:所述的所有細柵線(1)的圓心位于電池片的中心。
3.根據權利要求2所述的拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,其特征是:相鄰的同心圓之間的距離為2~2.5mm,同時細柵線(1)寬度為70~80um。
4.根據權利要求3所述的拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,其特征是:相鄰的同心圓之間的距離為2.39mm,同時細柵線(1)寬度為75um。
5.根據權利要求1、2、3或4所述的拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,其特征是:所述的主柵線(2)有三根,分為中部主柵線(21)和兩個兩側主柵線(22),兩側主柵線(22)位于中部主柵線(21)兩側,中部主柵線(21)穿過細柵線(1)的圓心,兩側主柵線(22)的分為四段,分別是兩頭的豎直段(221)和中間的傾斜段(222),中間的兩個傾斜段(222)在硅片邊緣處相交,構成外凸的凸角。
6.根據權利要求5所述的拓撲學原理設計的硅太陽能電池正電極,其特征是:所述的主柵線(2)的圖形以中部主柵線(21)為對稱軸對稱,同時主柵線(1)的圖形以凸角的頂角之間的連線為對稱軸對稱。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





