[發(fā)明專(zhuān)利]一種具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010619509.6
• 申請(qǐng)日: 2010-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102130176A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程新紅;何大偉;王中健;徐大偉;夏超;宋朝瑞;俞躍輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所;上海新傲科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，包括SOI襯底和位于所述SOI襯底之上的有源區(qū)；所述有源區(qū)包括：柵區(qū)、分別位于所述柵區(qū)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)、位于所述柵區(qū)之下的體區(qū)、位于所述體區(qū)與所述漏區(qū)之間的漂移區(qū)；其特征在于：

所述漂移區(qū)包括橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)和位于所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)上方的緩沖層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述橫向超結(jié)結(jié)構(gòu)包括橫向交替排列的N型柱區(qū)和P型柱區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述緩沖層為淺摻雜的N型緩沖層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述緩沖層位于所述漂移區(qū)的表層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：還包括體接觸區(qū)，所述體接觸區(qū)位于所述源區(qū)旁與所述體區(qū)相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：在所述有源區(qū)周?chē)O(shè)有溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述柵區(qū)包括柵介質(zhì)層和位于柵介質(zhì)層之上的柵材料層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述柵材料為多晶硅材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述具有緩沖層的SOI超結(jié)LDMOS器件，其特征在于：所述有源區(qū)表面設(shè)有保護(hù)層。