[發(fā)明專利]用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010619496.2 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102134698A | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭程;吳良才;饒峰;宋志棠;劉波;周夕淋;朱敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C14/06 | 分類號(hào): | C23C14/06;C23C14/35;H01L45/00 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 200050 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 相變 存儲(chǔ)器 al sb te 系列 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料,其特征在于:該材料是一種由鋁、銻、碲三種元素組成的混合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料,其特征在于:該相變材料的通式為Alx(SbyTe1)1-x,其中0<x≤0.85,0.67≤y≤7。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料,其特征在于:該相變材料中的鋁、銻、碲三種元素兩兩成鍵,組成三元體系。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料,其特征在于:該相變材料中的鋁元素和銻元素之間成鍵,形成AlSb半導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料,其特征在于:該相變材料采用電脈沖作用實(shí)現(xiàn)電阻率的可逆轉(zhuǎn)變。
6.一種用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料的制備方法,其特征在于:采用磁控濺射制備Alx(SbyTe1)1-x相變材料,其中0<x≤0.85,0.67≤y≤7。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述用于相變存儲(chǔ)器的Al-Sb-Te系列相變材料的制備方法,其特征在于:在磁控濺射中采用多靶共濺射的方法。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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