[發(fā)明專利]熱盤及應(yīng)用其的硅片加熱系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010618374.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102543662A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閔金華;張俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
| 地址: | 201203 上*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 應(yīng)用 硅片 加熱 系統(tǒng) | ||
1.一種熱盤,設(shè)置于容置本體內(nèi)且分別連接抽風(fēng)機(jī)與進(jìn)風(fēng)機(jī),其特征是,所述熱盤具有多組呈均勻分布的加熱區(qū),且每一所述加熱區(qū)內(nèi)具有出氣孔與進(jìn)氣孔,所述出氣孔連接于所述抽風(fēng)機(jī),所述進(jìn)氣孔圍繞所述出氣孔設(shè)置且連接于所述進(jìn)風(fēng)機(jī),所述進(jìn)風(fēng)機(jī)提供熱空氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱盤,其特征是,所述熱盤還具有至少一個(gè)穿孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱盤,其特征是,所述穿孔的數(shù)量為三個(gè),且呈三角形分布。
4.一種硅片加熱系統(tǒng),其特征是,包括:
容置本體;
抽風(fēng)機(jī);
進(jìn)風(fēng)機(jī);以及
熱盤,設(shè)置于所述容置本體內(nèi),所述熱盤具有多組呈均勻分布的加熱區(qū),且每一所述加熱區(qū)內(nèi)具有出氣孔與進(jìn)氣孔,所述出氣孔連接于所述抽風(fēng)機(jī),所述進(jìn)氣孔圍繞所述出氣孔設(shè)置且連接于所述進(jìn)風(fēng)機(jī),所述進(jìn)風(fēng)機(jī)提供熱空氣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括第一加熱裝置,連接于所述熱盤。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括第二加熱裝置,連接于所述進(jìn)風(fēng)機(jī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片加熱裝置,其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括第一溫度檢測(cè)裝置與溫度控制器,所述第一溫度檢測(cè)裝置設(shè)置于所述進(jìn)氣孔,所述溫度控制器連接于所述第一溫度檢測(cè)裝置與所述第二加熱裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的硅片加熱裝置,其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括第二溫度檢測(cè)裝置,設(shè)置于所述第二加熱裝置,并連接于所述溫度控制器。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括多個(gè)自動(dòng)調(diào)壓閥,分別設(shè)置于每一所述加熱區(qū)的所述出氣孔與所述進(jìn)氣孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括硅片保護(hù)裝置,設(shè)置于所述熱盤上方,以圍繞所述熱盤上方的硅片。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括多個(gè)位置傳感器,設(shè)置于所述熱盤上方,以感測(cè)所述熱盤上方的硅片的位置。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述熱盤還具有至少一個(gè)穿孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述穿孔的數(shù)量為三個(gè),且呈三角形分布。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述硅片加熱系統(tǒng)還包括至少一個(gè)頂桿與驅(qū)動(dòng)裝置,所述頂桿可活動(dòng)地設(shè)置于所述穿孔內(nèi),所述驅(qū)動(dòng)裝置連接于所述頂桿。
15.根據(jù)權(quán)利要求4所述的硅片加熱系統(tǒng),其特征是,所述容置本體的頂部具有抽氣孔。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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