[發明專利]鍍膜件及其制備方法有效
| 申請號： | 201010617847.6 | 申請日： | 2010-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN102560351A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;李聰 | 申請（專利權）人： | 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鍍膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種鍍膜件，其包括基體及形成于基體表面的疏水層，其特征在于：該疏水層包括依次形成于基體表面的非晶氮化碳(CNy)層及氟化非晶氮化碳(CNxFz)層，其中1≤y≤3，1≤x≤3，1≤z≤4。
2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基體為不銹鋼或玻璃。
3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述非晶氮化碳(CNy)層采用磁控濺射的方式形成，其厚度為100～600nm。
4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述氟化非晶氮化碳(CNxFz)層的厚度為200～400nm。
5.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟：
提供一基體；
采用磁控濺射法，使用石墨靶，以氨氣為反應氣體，在基體表面形成一氮化碳(CNy)層，其中1≤y≤3，該氮化碳層為非晶態；
對該氮化碳層進行表面氟化處理以形成疏水層，該疏水層包括依次形成于基體表面的非晶氮化碳(CNy)層及氟化非晶氮化碳(CNxFz)層，其中1≤x≤3，1≤z≤4。
6.如權利要求5所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述形成CNy層的步驟采用如下方式實現：石墨靶的功率為7～10kW，氨氣的流量為110～300sccm，以氬氣為工作氣體，氬氣流量為300～380sccm，基體偏壓為-50～-300V，鍍膜溫度為150～420℃，鍍膜時間為20～60min。
7.如權利要求5所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述表面氟化處理的步驟采用如下方式實現：通入四氟化碳氣體，四氟化碳的氣壓為10～100Pa，施加射頻電磁場使四氟化碳氣體產生輝光放電，射頻功率密度為20～100W/cm2，氟化溫度為80～120℃，氟化時間為10～120min。
8.如權利要求5所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述基體為不銹鋼或玻璃。
9.如權利要求5所述的鍍膜件的制備方法，其特征在于：所述制備方法還包括在濺鍍氮化碳層前對基體進行清潔前處理及等離子體清洗的步驟。
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