[發明專利]Ⅲ族-氮化物發光二極管與其形成方法

有效

• 申請號: 201010617652.1
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102347412A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 果尚志;林弘偉;呂宥蓉
• 申請（專利權）人: 果尚志
• 主分類號: H01L33/32
• 分類號: H01L33/32;H01L33/16;H01L33/08;H01L33/36;H01L33/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種III族-氮化物發光二極管，其特征在于其包含：

一第一電極；

一n型氮化鎵納米柱數組，具有多個n型氮化鎵納米柱與該第一電極歐姆接觸；

一或多個氮化銦鎵納米碟，設置于每個n型氮化鎵納米柱上；

一p型氮化鎵納米柱數組，具有多個p型氮化鎵納米柱，其中每個p型氮化鎵納米柱對應一個n型氮化鎵納米柱，且被設置于每個所對應的n型氮化鎵納米柱上方的該氮化銦鎵納米碟的上方；以及

一第二電極，與該p型氮化鎵納米柱數組歐姆接觸。

2.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該一或多個氮化銦鎵納米碟的數量為兩個以上，且一氮化鎵阻擋層設置于每兩個氮化銦鎵納米碟之間。

3.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該一或多個氮化銦鎵納米碟的電激發光為單色光或多色光。

4.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管的電激發光為偏振光。

5.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中每個該氮化銦鎵納米碟的厚度為10nm以上。

6.根據權利要求5所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中每個該氮化銦鎵納米碟的厚度介于10nm至40nm。

7.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中當驅動電流增加，該發光二極管的電激發光的波長維持不變。

8.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管的發光色溫與該發光二極管的驅動電流無關。

9.根據權利要求8所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中當驅動電流超過5mA，該發光二極管的色溫保持在6,000K。

10.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中當該發光二極管的驅動電流密度增加至50A/cm2，該發光二極管的相對外部量子效率隨之變化，但不會飽和或降低。

11.根據權利要求1所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該第一電極或該第二電極為一透明電極，且每個該p型氮化鎵納米柱或每個該n型氮化鎵納米柱具有兩端，其中靠近該透明電極的一端比另一端寬廣。

12.一種III族-氮化物發光二極管，其特征在于其包含：

一第一電極；

一n型氮化鎵納米柱，與該第一電極歐姆接觸；

一或多個氮化銦鎵納米碟，設置于該n型氮化鎵納米柱上；

一p型氮化鎵納米柱，設置于該一或多個氮化銦鎵納米碟上方；以及

一第二電極，與該p型氮化鎵納米柱歐姆接觸。

13.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該一或多個氮化銦鎵納米碟的數量為兩個以上，且一氮化鎵阻擋層設置于每兩個氮化銦鎵納米碟之間。

14.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該一或多個氮化銦鎵納米碟的電激發光為單色光或多色光。

15.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管的電激發光為偏振光。

16.根據權利要求15所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管的電激發光具有一偏振比，該偏振比與該發光二極管的電激發光波長以及該氮化銦鎵納米碟的直徑無關。

17.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管的驅動電流密度達到8000A/cm²以上。

18.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中每個該氮化銦鎵納米碟的厚度為10nm以上。

19.根據權利要求12所述的III族-氮化物發光二極管，其特征在于其中該發光二極管是作為一個次波長光學顯影術的光源，以接觸或近接曝光微影模式，在該發光二極管的發射波長范圍內使一光刻膠感光，其中該光刻膠落在該發光二極管的近場范圍內。