[發明專利]制造一半導體結構的方法及一種垂直通道記憶結構

有效

• 申請號: 201010617611.2
• 申請日: 2010-12-29
• 公開（公告）號: CN102569199A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃育峰;韓宗廷
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L21/768;H01L27/105;H01L29/78
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種制造一半導體結構的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

準備一垂直通道記憶結構以填充一定義于其間的實體隔離溝渠，該實體隔離溝渠是定義于相鄰的主動結構之間且在一第一方向上延伸，該主動結構也定義位于鄰接該主動結構相對于該實體隔離溝渠的兩側的通道；以及

施加介電材料以填充該實體隔離溝渠。

2.根據權利要求1所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于更包含：

圖案化多條字元線于該垂直通道記憶結構之上，該些字元線彼此平行在一與該第一方向垂直的第二方向上延伸，該些字元線延伸于該主動結構及該實體隔離溝渠之上且填充對應的通道部分。

3.根據權利要求2所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中所述的圖案化多條字元線是在填充該實體隔離溝渠之后進行以防止該些字元線因為實體隔離溝渠開口條件所造成的字元線橋接。

4.根據權利要求1所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中所述的介電材料是氧化硅-氮化硅-氧化硅層。

5.根據權利要求4所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中所述的填充該實體隔離溝渠包含在該氧化硅-氮化硅-氧化硅層形成時以該氧化硅-氮化硅-氧化硅層填充該實體隔離溝渠。

6.根據權利要求5所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中在該氧化硅-氮化硅-氧化硅層形成時以該氧化硅-氮化硅-氧化硅層填充該實體隔離溝渠更包含進行一清潔工藝于進行再氧化層之前，且實行埋藏擴散布植于主動結構的上方及通道的底部，且之后，在形成氧化硅-氮化硅-氧化硅層之前進行一氧化硅-氮化硅-氧化硅清潔工藝。

7.根據權利要求5所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中在該氧化硅-氮化硅-氧化硅層形成時以該氧化硅-氮化硅-氧化硅層填充該實體隔離溝渠包含以氧化硅-氮化硅-氧化硅、能隙工程硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅或納米晶體的至少一者填入實體隔離溝渠內。

8.根據權利要求1所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中填充該實體隔離溝渠包含以氧化硅填充該實體隔離溝渠。

9.根據權利要求8所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中以氧化硅填充該實體隔離溝渠包含以高溫氧化、四乙氧基硅烷或同位蒸氣生成的至少一者填入實體隔離溝渠內。

10.根據權利要求8所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中以氧化硅填充該實體隔離溝渠包含提供氧化硅薄膜填入實體隔離溝渠具有高密度等離子體沉積的氧化物于該主動結構的上方及氧化物薄膜于實體隔離溝渠內。

11.根據權利要求1所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中填充該實體隔離溝渠包含以多晶硅墊層填充該實體隔離溝渠。

12.根據權利要求11所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中以多晶硅墊層填充該實體隔離溝渠包含以非晶硅、多晶硅或單晶硅的至少一者填入實體隔離溝渠內。

13.根據權利要求11所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中所述的以多晶硅墊層填充該實體隔離溝渠包含：

提供氧化硅薄膜于主動結構及通道的上方，然后再形成一多晶硅墊層于該氧化硅薄膜之上及填入該實體隔離溝渠內；

進行化學干蝕刻工藝以將該多晶硅墊層在該垂直通道記憶結構中除了在該實體隔離溝渠內的所有的部分回蝕刻。

14.根據權利要求11所述的制造一半導體結構的方法，其特征在于其中以多晶硅墊層填充該實體隔離溝渠更包含進行一清潔工藝于進行再氧化層之前，且實行埋藏擴散布植于該主動結構的上方及該通道的底部，且之后，在形成氧化硅-氮化硅-氧化硅層之前進行一氧化硅-氮化硅-氧化硅清潔工藝。

15.一種垂直通道記憶結構，其特征在于其包含：

至少一組主動結構在一第一方向上延伸，該主動結構彼此鄰接的放置且具有一實體隔離溝渠于其間，該實體隔離溝渠也在該第一方向上延伸；

通道于放置鄰接該主動結構的側邊，其是位于鄰接該主動結構相對于該實體隔離溝渠的兩側；以及

一填充材料填充于該實體隔離溝渠內，其搭配施加多層介電層、多晶硅墊層及/或氧化物薄膜。