[發明專利]太陽能電池

無效

• 申請號: 201010617481.2
• 申請日: 2010-12-31
• 公開（公告）號: CN102130189A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 石鄖熙;鄭志東
• 申請（專利權）人: 浙江昱輝陽光能源有限公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0224
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及光伏行業技術領域，更具體地說，涉及一種太陽能電池。

背景技術

在硅太陽能電池制作工藝中，為了降低硅原料的消耗，硅晶片的厚度越來越薄，現在使用的硅晶片厚度已達到約200μm。硅晶片的厚度還有待進一步降低，從而有望生產出超薄太陽能電池。

但是，隨著硅晶片厚度的降低，光吸收層的厚度也降低了，這就使得長波長的光容易透過硅晶片而泄露出去，使得產生的光生載流子減少，從而降低了太陽能電池的光電轉換效率。

為了解決上述問題，常采用各種背場(Back?Surface?Field，BSF)技術，在太陽能電池的背面形成光反射鏡面，將從電池背面泄漏的長波長光反射進電池中，提高長波長光的光吸收；或降低電池背面光生載流子的界面復合率，進而提高電池的光電轉換效率。

在上述各種BSF技術中，主要有背面高摻雜鋁(稱為“全背面鋁背場”)技術、背面反射器(BSR)技術、雙層減反射膜技術、輔助加入氮化硅薄膜層或α-Si薄膜層等鈍化界面技術。但是這些技術基本上只能起到部分作用，如：背面反射器(BSR)技術只能起到背面的光反射鏡面作用；氮化硅薄膜層或α-Si薄膜層技術起到部分降低電池背面光生載流子界面復合率的作用；全背面鋁背場技術起到部分光反射鏡面作用和部分降低電池背面光生載流子界面復合率的作用。因此，現有的BSF技術，在解決太陽能電池背面部分的光電轉換效率方面都不是很完善。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種太陽能電池，該太陽能電池能有效地提高光電轉換效率。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種太陽能電池，所述太陽能電池包括：

電池本體；

位于電池本體正面的正電極；

位于電池本體背面與所述正電極極性相反的背電極；

位于電池本體背面背電極區域之外的介質層；

位于所述介質層上且與所述背電極隔離絕緣的金屬層，所述金屬層連接輔助電壓。

優選的，上述太陽能電池中，所述電池本體為P-N結結構或P-I-N結結構。

優選的，上述太陽能電池中，所述電池本體的背面為P型半導體，且所述金屬層連接負輔助電壓。

優選的，上述太陽能電池中，所述負輔助電壓為-5V～-60V。

優選的，上述太陽能電池還包括：位于電池本體正面正電極區域之外的掩膜層。

優選的，上述太陽能電池中，所述掩膜層為氧化硅。

優選的，上述太陽能電池中，所述介質層為氧化硅。

優選的，上述太陽能電池中，所述介質層的厚度為300nm～700nm。

優選的，上述太陽能電池中，所述金屬層的厚度大于10nm。

優選的，上述太陽能電池中，所述介質層與電池本體的交界面為光學平面或非光學平面。

從上述技術方案可以看出，本發明所提供的太陽能電池，包括：電池本體；位于電池本體正面的正電極；位于電池本體背面與所述正電極極性相反的背電極；位于電池本體背面背電極區域之外的介質層；位于所述介質層上且與所述背電極隔離絕緣的金屬層，所述金屬層連接輔助電壓。本發明所提供的太陽能電池，在電池本體背面背電極區域之外(非歐姆接觸區域)依次設置有介質層和金屬層，所述金屬層、介質層和電池本體構成MOS(金屬氧化物半導體，Metal-Oxid-Semiconductor)結構，所述MOS結構中的金屬層可作為電池本體背面的光反射鏡面，降低電池本體背面長波長光的泄露；在MOS結構中的金屬層上施加輔助電壓，可以降低電池本體背面光生載流子的界面復合率，因此，本發明所提供的太陽能電池能有效地提高光電轉換效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例所提供的一種太陽能電池的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。