[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010616570.5
• 申請日: 2006-10-27
• 公開（公告）號: CN102130234A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 成泰連
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李昕巍

1.一種半導體器件的制造方法，包括步驟：

在具有絕緣特性的生長襯底上形成第一外延層；

在所述第一外延層上淀積具有30nm或更大厚度的厚膜層；

利用激光束去除所述生長襯底；以及

對因去除了所述生長襯底而暴露的所述第一外延層的表面進行處理。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述第一外延層包括至少一種表示為In_xAl_yGa_zN(x、y、z為整數(shù))或Si_xC_yN_z(x、y、z為整數(shù))的化合物，并且被制備為具有至少30nm的厚度的單層或多層。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述化合物包括GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN、AlInN、InAlGaN、SiC和SiCN中的至少之一。

4.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中，所述第一外延層包括作為n型摻雜劑的IV族元素Si、Ge、Te、Se或者作為p型摻雜劑的III族元素Mg、Zn、Be。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，具體地，所述厚膜層包括從下述集合中選出的至少一種化合物、合金或固溶體：Si、Ge、SiGe、GaAs、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、BN、BP、BAs、BSb、AlP、AlAs、Alsb、GaSb、InP、InAs、InSb、GaP、InP、InAs、InSb、In₂S₃、PbS、CdTe、CdSe、Cd_1-xZn_xTe、In₂Se₃、CuInSe₂、Hg_1-xCd_xTe、Cu₂S、ZnSe、ZnTe、ZnO、W、Mo、Ni、Nb、Ta、Pt、Cu、Al、Ag、Au、ZrB₂、WB、MoB、MoC、WC、ZrC、Pd、Ru、Rh、Ir、Cr、Ti、Co、V、Re、Fe、Mn、RuO、IrO₂、BeO、MgO、SiO₂、SiN、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、MoN、ReN、CuI、金剛石、DLC、SiC、WC、TiW、TiC、CuW和SiCN，其中，所述厚膜層包括作為單層或多層制備的單晶層、多晶層或者非晶層。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，采用激光束去除所述生長襯底包括蝕刻工藝、表面處理工藝和熱處理工藝中的至少一種。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，處理所述第一外延層的表面包括表面平坦化工藝、圖案化工藝和熱處理工藝中的至少一種。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括在所述第一外延層的經(jīng)過表面處理的表面上形成第二外延層。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，所述第二外延層包括多層，所述多層包括用于電子和光電器件的基于GaN的半導體。

10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，所述第二外延層包括單晶多層，所述單晶多層包括至少一種表示為In_xAl_yGa_zN(x、y和z為整數(shù))或Si_xC_yN_z(x、y和z為整數(shù))的化合物。

11.根據(jù)權利要求10所示的方法，其中所述第二外延層包括GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN、AlInN、InAlGaN、SiC和SiCN中的至少一個。

12.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中，所述第二外延層包括作為n型摻雜劑的IV族元素Si、Ge、Te、Se或者作為p型摻雜劑的III族元素Mg、Zn、Be。

13.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中，通過在200℃的溫度下，在氧、氮、真空、空氣、氫或氨氣氣氛下執(zhí)行30秒到24小時的熱處理工藝形成所述第二外延層。

14.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述生長襯底是藍寶石襯底。