[發明專利]半導體器件結構和制作該半導體器件結構的方法

有效

• 申請號: 201010615165.1
• 申請日: 2010-12-30
• 公開（公告）號: CN102569088A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 禹國賓;三重野文健
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265;H01L29/792;H01L27/115
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制作半導體器件結構的方法，其特征在于，包括下列步驟：

a）提供半導體襯底；

b）在所述半導體襯底的表面形成隧道氧化層；

c）在所述隧道氧化層的表面形成存儲節點層；

d）對所述存儲節點層進行離子注入；

e）在所述存儲節點層的表面形成阻擋氧化層；

f）在所述阻擋氧化層的表面形成柵電極；

g）在所述半導體襯底上形成被淺溝槽隔離的源區和漏區；

h）去除所述源區和所述漏區上的所述柵電極、所述阻擋氧化層、所述存儲節點層和所述隧道氧化層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子選自硅離子或鍺離子或上述兩者的任一組合。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述硅離子的注入劑量為5e12?cm^-2到1e18?cm^-2。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述鍺離子的注入劑量為5e12?cm^-2到1e18?cm^-2。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲節點層的厚度為4nm到40nm。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲節點層的形成方式為化學氣相沉積。

7.一種利用如權利要求1~6任一項所述的方法制成的半導體器件結構，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述襯底至少具有在其上形成并被淺溝槽隔離的源區和漏區；

隧道氧化層，所述隧道氧化層形成在所述半導體襯底中的所述淺溝槽上；

存儲節點層，所述存儲節點層形成在所述隧道氧化層上；

阻擋氧化層，所述阻擋氧化層形成在所述存儲節點層上；

柵電極，所述柵電極形成在所述阻擋氧化層上。

8.根據權利要求7所述的半導體器件結構，其特征在于，所述存儲節點層的厚度為4nm到40nm。

9.根據權利要求7所述的半導體器件結構，其特征在于，所述存儲節點層含有硅離子或鍺離子或上述兩者的任一組合。

10.根據權利要求9所述的半導體器件結構，其特征在于，所述硅離子的注入劑量為5e12?cm^-2到1e18?cm^-2。

11.根據權利要求9所述的半導體器件結構，其特征在于，所述鍺離子的注入劑量為5e12?cm^-2到1e18?cm^-2。