[發明專利]高精密控溫晶體振蕩器無效
| 申請號: | 201010615034.3 | 申請日: | 2010-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102075142A | 公開(公告)日: | 2011-05-25 |
| 發明(設計)人: | 饒棣 | 申請(專利權)人: | 東莞市金振電子有限公司 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04;G05D23/24 |
| 代理公司: | 東莞市中正知識產權事務所 44231 | 代理人: | 張萍 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 精密 晶體振蕩器 | ||
1.一種高精密控溫晶體振蕩器,該振蕩器的電路包括控溫電路和主振部分的電路,其特征在于:控溫電路包括一負溫度系數的熱敏電阻RT1,兩個運算放大器IC1A、IC1B,兩個PNP三極管Q1和Q2;熱敏電阻RT1一端接地,另一端連接控溫點調節電阻R8,電阻R8另一端連接電阻R5,電阻R5連接電阻R6,電阻R6另一端接地;電阻R8與熱敏電阻RT1之間接出一路連接電阻R9,電阻R9連接運算放大器IC1A的反相端,運算放大器IC1A的同相端連接電阻R7,電阻R7另一端連接在電阻R5與電阻R6之間;運算放大器IC1A的反相端與輸出端之間跨接有靈敏度調節電路;運算放大器IC1A的輸出端連接電阻R4,電阻R4連接運算放大器IC1B的同相端,運算放大器IC1B的反相端連接電阻R2;運算放大器IC1B的輸出端連接三極管Q1的基極,三極管Q1連接三極管Q2的基極;三極管Q1的發射極通過電阻R0連接電源VCC,三極管Q2的發射極通過另一電阻R0連接電源VCC,三極管Q1和三極管Q2的集電極接地;運算放大器IC1B的反相端與三極管Q1的發射極之間連接有電阻R1,運算放大器IC1B的反相端與三極管Q2的發射極之間連接有另一電阻R1;運算放大器IC1B的輸出端與反相端之間連接有調節電容Cf1,運算放大器IC1B的同相端連接有電阻R3;運算放大器IC1A和運算放大器IC1B分別各自連接電源VCC并接地;
R8、R5和R2接內部穩壓電源;
主振部分的電路包括三極管V1、晶振BC1、電容Ct、電容C3、電容C4,三極管V1的發射極接地,三極管V1的基極與發射極之間連接有電容C3,三極管V1的集電極與發射極之間連接有電容C4,三極管V1的基極連接晶振BC1,晶振BC1連接電容Ct,電容Ct連接三極管的集電極。
2.根據權利要求1所述的高精密控溫晶體振蕩器,其特征在于:熱敏電阻RT1其一端與地相連,且兩端并接有濾波電容C2。
3.根據權利要求1所述的高精密控溫晶體振蕩器,其特征在于:所述靈敏度調節電路包括一可調電阻Rf,可調電阻Rf串聯可調電容Cf2,可調電阻Rf與可調電容Cf2并聯可調電容Cf3。
4.根據權利要求1所述的高精密控溫晶體振蕩器,其特征在于:控溫電路采用雙運放結構。
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