[發明專利]一種應用于晶體硅太陽能電池的擴散方法有效
| 申請號: | 201010613324.4 | 申請日: | 2010-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN102157606A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 俆英乾 | 申請(專利權)人: | 光為綠色新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C30B31/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 074000 河北省高*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 晶體 太陽能電池 擴散 方法 | ||
1.一種應用于晶體硅太陽能電池的擴散方法,其特征在于:其包括以下步驟:
(1)將硅片放入擴散爐內;溫度從780-810℃升至840℃-860℃,同時通入POCL3600-1000sccm、O2?200-500sccm、N2?4-8slm,用時12-14min;
(2)當擴散爐溫度升至840-860℃,恒溫2-5min,同時通入O2?200-500sccm、N2?5-9slm;溫度從840-860℃升至870-890℃,同時通入POCL3?400-700sccm、O2?200-500sccm、N24-8slm,用時8-12min;然后將溫度從870-890℃降至800℃,在降溫過程中通入O2300-800sccm、N2?5-9slm;在800℃穩定2min,并通入POCL3?800-2000sccm、O2?500-1000sccm、N2?5-12slm;
(3)將硅片從擴散爐內取出。
2.根據權利要求1所述的應用于晶體硅太陽能電池的擴散方法,其特征在于:其包括以下步驟:
(1)將硅片放入擴散爐內;溫度從810℃升至840℃,升溫同時通入POCL3?700sccm、O2?200sccm、N2?6slm,用時12min;
(2)在840℃穩定2min,同時通入O2?300sccm,N2?6slm;溫度從840℃升至870℃,升溫同時通入POCL3?500sccm、O2?300sccm、N2?6slm,用時8min;溫度從870℃降至800℃,降溫同時通入O2?500sccm、N2?6slm;在800℃穩定2min,同時通入POCL3?1200sccm、O2?500sccm、N2?9slm;
(3)將硅片從擴散爐內取出。
3.根據權利要求1所述的應用于晶體硅太陽能電池的擴散方法,其特征在于:其包括以下步驟:
(1)將硅片放入擴散爐內;溫度從780℃升至850℃,升溫同時通入POCL3?1000sccm、O2?500sccm、N2?8slm,用時13min;
(2)在850℃穩定3min,同時通入O2?400sccm,N2?9slm;溫度從850℃升至880℃,升溫同時通入POCL3?700sccm、O2?500sccm、N2?8slm,用9min;溫度從880℃降至800℃,降溫同時通入O2?800sccm、N2?9slm;在800℃穩定2min,同時通入POCL3?2000sccm、O2800sccm、N2?10slm;
(3)將硅片從擴散爐內取出。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





