[發明專利]薄膜太陽能電池及用于制造一薄膜太陽能電池的方法無效
| 申請號: | 201010612941.2 | 申請日: | 2010-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN102130188A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 馬嘉偉;張展晴;李永祥;林豈琪 | 申請(專利權)人: | 杜邦太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/20;B23K26/36 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 中國香港新界白石角香港科學園*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 用于 制造 方法 | ||
1.一種薄膜太陽能電池,其特征在于,包含:
一基板;
一透明電極層,其形成于該基板上;
一半導體層,其形成于該透明電極層上且具有凹槽;
一背電極層,其形成于該半導體層上,其中該半導體層與該背電極層的形成體經圖案化,且該經圖案化形成體與該透明電極層形成數個串聯連接的單位電池;
一正電極,其形成于該些串聯連接的單位電池的一最前單位電池上以作為該薄膜太陽能電池的一正極端子;及
一負電極,其形成于該些串聯連接的單位電池的一最末單位電池上以作為該薄膜太陽能電池的一負極端子;
其中該背電極層經形成以至少填充該正電極下方的該最前單位電池及該負電極下方的該最末單位電池的該些凹槽,以與該透明電極層直接連接。
2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,該背電極層經由該正電極下方的該最前單位電池及該負電極下方的該最末單位電池的該些凹槽與該透明電極層進行直接歐姆接觸。
3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于,該透明電極層包含透明導電氧化物,該半導體層包含非晶硅,該背電極層包含金屬,且該正電極及該負電極形成為帶狀電極。
4.一種用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,包含以下步驟:
在一基板上形成一透明電極層;
在該透明電極層上形成一半導體層;
圖案化該半導體層以形成復數個半導體區域及數個第一凹槽;
形成一背電極層以覆蓋該些半導體區域且填充該些第一凹槽;
圖案化該背電極層以形成數個背電極,使得該些背電極、該些半導體區域及該透明電極層形成數個串聯連接的單位電池;
在該些串聯連接的單位電池的一最前單位電池上形成一正電極以作為該薄膜太陽能電池的一正極端子;及
在該些串聯連接的單位電池的一最末單位電池上形成一負電極以作為該薄膜太陽能電池的一負極端子;
其中該背電極層經形成使得該背電極層至少填充該正電極下方的該最前單位電池及該負電極下方的該最末單位電池的該些第一凹槽,以與該透明電極層直接連接。
5.根據權利要求4所述的用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,進一步包含以下步驟:
圖案化該透明電極層以形成數個透明電極及數個第二凹槽;
其中在該透明電極層上形成該半導體層的步驟進一步包含以下步驟:
形成該半導體層以覆蓋該些透明電極且填充該些第二凹槽。
6.根據權利要求4所述的用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,該最前單位電池及該最末單位電池的該些背電極經形成以經由該正電極下方的該最前單位電池及該負電極下方的該最末單位電池的該些第一凹槽與該透明電極層進行直接歐姆接觸。
7.根據權利要求4所述的用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,該透明電極層包含透明導電氧化物,該半導體層包含非晶硅,該背電極層包含金屬,且該正電極及該負電極形成為帶狀電極。
8.一種用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,包含以下步驟:
在一基板上形成一透明電極層;
對該透明電極層進行激光切割以形成數個透明電極及數個第一凹槽;
形成一半導體層以覆蓋該些透明電極且填充該些第一凹槽;
對該半導體層進行激光切割以形成數個半導體區域及數個第二凹槽;
形成一背電極層以覆蓋該些半導體區域且填充該些第二凹槽;
對該背電極層進行激光切割以形成數個背電極,使得該些背電極、該些半導體區域及該透明電極層形成數個串聯連接的單位電池;
在該些串聯連接的單位電池的一最前單位電池上形成一正電極以作為該薄膜太陽能電池的一正極端子;及
在該些串聯連接的單位電池的一最末單位電池上形成一負電極以作為該薄膜太陽能電池的一負極端子;
其中該最前單位電池及該最末單位電池的該些背電極經形成以經由該正電極下方的該最前單位電池及該負電極下方的該最末單位電池的該些第二凹槽與相應的該些透明電極進行直接歐姆接觸。
9.根據權利要求8所述的用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,該透明電極層包含透明導電氧化物,該半導體層包含非晶硅,且該背電極層包含金屬。
10.根據權利要求8所述的用于制造一薄膜太陽能電池的方法,其特征在于,該正電極及該負電極形成為帶狀電極。
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